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Micro-LED具有优越的性能，应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等领域。目前，Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。像素尺寸缩小、芯片的周长面积比增大，导致侧壁的表面复合增多，非辐射复合速率变大，从而致使光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。另外，对于磷化Micro-LED，在较高的驱动电流下，热刺激LED的多量子阱...