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中国科学院上海微系统与信息技术研究所二维材料研究再获重要进展。超导实验室，信息功能材料国家重点实验室的卢光远和吴天如等人采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，单晶面积较文献报道高出约2个数量级，研究论文“Synthesis of large single-crystal hexagonal boron nitride grains on ...