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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点，承接多项国家重点研发计划，在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料，波长<280nm的深紫外LED，输出光功率超过110mW，开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组，推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心研究方向高质量半导体外延材料及单晶
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 研究方向 高质量半导体外延材料及单晶 半导体外延材料 单晶
2020/12/31
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心主要对高质量的半导体外延材料和单晶的研制，针对国家“十三五”期间“大力发展磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料”的战略需求，突破高纯红磷、高纯铟等高纯原材料制备的关键技术，实现了从磷化铟用高纯原材料到磷化铟单晶的国产化自主保障，为我国光电子器件的发展与应用提供了材料支撑。
模拟集成电路以无线传感网络（WSN）节点芯片和系统为研究对象，包括WSN节点芯片、应用系统和平台、模式识别三个方向。
数字集成电路方向专注于大规模数字集成电路设计，主要包括：低功耗电路架构设计、嵌入式SRAM设计、GPS数字基带设计、可重构处理器架构等。
功率系统组致力于功率开关变换器的研究与开发，其中重点主要包括2个研究方面：1）功率开关电源——利用开关器件和储能元件将输入的电信号（直流或者交流）转化为特定应用场合需要的恒压或者恒流输出电信号；2）开关磁阻电机驱动器——利用多相开关桥臂将输入的电信号（直流或者交流）转化为高频输出信号以控制电机的转动。此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。
器件与工艺方向的研究专注于功率半导体技术，主要包括：功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、高压电路设计及相关功率可靠性研究等。
西北工业大学微电子学院微纳电子研究团队现有教职工8人，其中教授3人、副教授5人。主要研究方向为有机半导体高性能化及多功能化，其中包括高性能柔性电路、柔性混合电子学及光电磁转换物理机制等。
西北工业大学微电子学院魏廷存教授团队主要研究领域为模拟与混合信号专用集成电路设计（Analog and mixed-signal ASIC design），具体研究方向包括：1）面向辐射探测器的微弱/高速信号读出处理芯片与系统；2）高频数字电源控制芯片与系统；3）微弱环境能量采集自供电芯片与系统；4）图像与信号处理专用硬件加速芯片；5）抗辐照ADC、DAC芯片；6）平板显示驱动控制芯片；7）混合电...
面向集成电路学术前沿和国家重大战略需求，开展射频集成电路与系统创新性研究，同时发展相关联的高性能数字及数模混合信号电路与系统，进行集成电路设计高层次人才培养，通过产学研结合方式促进科研成果的转化和产业化，从而使实验室实现可持续发展。
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
2017/8/10
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5～3.3 V,...
中国科学院半导体材料科学重点实验室主要研究内容：（1）低维半导体材料的生长及表征、光电特性预测、原理器件验证；（2）红外及THz量子级联材料与器件；（3）光子集成材料和器件；（4）宽禁带半导体材料与器件；（5）单晶衬底及特殊环境半导体材料。