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合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组荣获IEEE亚洲硬件安全与可信会议最佳论文奖（图）
黄正峰 IEEE 硬件 最佳论文奖
2022/12/20
合肥工业大学微电子学院黄正峰课题组在IEEE亚洲硬件安全与可信会议( AsianHOST2022 ) 发表的论文“MRCO: A Multi-ring Convergence Oscillator-based High-Efficiency True Random Number Generator（基于多环汇聚振荡器的真随机数发生器）”获得了最佳论文奖（Best Paper Award）。论文的第...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
2022/12/14
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
近日，浙江省科学技术厅公布了2023年度第一批“尖兵”“领雁”研发攻关计划项目清单。学院先进集成电路制造技术研究所特聘研究员任堃牵头的“集成电路设计工艺协同优化国产化软件/流程开发与验证”项目获批浙江省“尖兵”研发攻关计划项目。
合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展（图）
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2022/12/9
近日，合肥工业大学微电子学院安徽省MEMS工程技术研究中心许高斌教授团队于永强课题组针对有广泛应用前景的新型成像技术——单像素成像（single-pixel imaging），设计并制备了用于Hadamard单像素成像的低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管，在不添加任何滤波电路的条件下实现了高质量的128*128像素的成像结果。相关研究成果以“Low dark-current V2...
在计算机视觉领域，神经网络在图像识别、图像分割和目标检测方面具有先进性能。然而，基于传统冯诺依曼架构的神经网络的分类和检测方法面临存算分离的计算难题。而忆阻器作为一种新型存算一体器件，由于非易失性和纳米尺寸等特性，非常适合实现神经突触。因此基于忆阻器的神经网络引起了广泛关注。目前基于忆阻器的神经网络研究面临多态模型设计、循环神经网络（RNNs）中的核心模块门控循环单元（GRU）计算复杂等难题，合肥...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作，在硅基绝缘体上碳化硅（SiCOI）平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上，采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时，通过SiC本征的二阶非线性特性，实现了光频梳从红外到可见波段的...
2022年12月5日，受Wiley量子领域旗舰期刊Advanced Quantum Technologies编辑的邀请，中科院合肥研究院强磁场中心杨晓萍研究员课题组在该期刊撰写综述（Review）文章，介绍了基于镍酸盐的人工异质结构材料中非常规超导研究的理论、实验进展和前沿动态。中科院合肥研究院强磁场中心为第一作者单位和通讯作者单位。文章被Wiley官方公众号报道（https://mp.weixi...
山东大学“稷下风”学术论坛-冀东：垂直结构氮化镓功率器件研究进展。
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展（图）
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
2022/11/24
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底...
浙江大学微纳电子学院前沿所徐杨教授团队“硅/二维异质集成图像传感器基础研究”项目，获批国家自然科学基金委区域创新发展联合基金项目。该项目针对浙江省企业发展感知成像微型化、集成化器件的需求，开发二维材料/硅基异质器件阵列与传统CMOS工艺相兼容的工艺技术，设计片上读出电路并配套光学成像镜头，研究新型硅基二维图像传感芯片的制备。本项目的顺利实施，有望突破传统硅基图像传感技术领域的瓶颈，推动新型图像感知...
近日，由教育部学位管理与研究生教育司指导，中国电子学会、中国学位与研究生教育学会和中国科协青少年科技中心共同主办的第十七届中国研究生电子设计竞赛（简称研电赛）总决赛落下帷幕，南京邮电大学集成电路科学与工程学院肖建、郭宇锋教授指导的“上电不冒烟”团队以总分第一名的成绩当选“研电之星”，创造南京邮电大学在该项研究生学科竞赛顶级赛事中的历史最好成绩，被央视新闻、新华日报等媒体广泛报道。
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/18
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展（图）
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
2022/11/17
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后，仍可承受2 Mrad（Si）的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照，其综合抗辐...
赝电容对于超级电容器能量密度的提升具有很大的前景。获得高性能储能的关键在于构建具有很好相互连通的开孔结构赝电容电极。然而，如何实现赝电容电极结构的一致性规模化构筑以及高活性材料负载下的快速离子/电子传输，仍然具有较大的挑战。