搜索结果: 46-60 共查到“无机陶瓷材料”相关记录557条 . 查询时间(3.948 秒)
中国科学院金属研究所专利：一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳陶瓷涂层的方法
中国科学院金属研究所 专利 电泳沉积 钛硅铝碳 陶瓷涂层
2023/9/28
本发明涉及可加工层状钛硅铝碳陶瓷领域,特别提供了一种利用电泳沉积制备钛硅铝碳(Ti3Si(Al)C2)陶瓷涂层的方法,解决现有技术中难以获得纯的钛硅碳(Ti3SiC2)涂层等问题。该方法以钛硅铝碳(Ti3SiAlC2)粉末、水(H2O)为原料制成悬浮液,悬浮液中钛硅铝碳(Ti3SiAlC2)的固相含量为1-5vol％,悬浮液的pH值范围为7-10,电泳时所加的电位为1-5V,沉积时间为5-30mi...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：大角度压电陶瓷片点焊加工治具
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 压电陶瓷片 点焊 加工治具
2023/9/26
中国科学院深圳先进技术研究院专利：大角度压电陶瓷片点焊加工治具
中国科学院金属研究所专利：碳化硅陶瓷表面多孔拂石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：多孔导电MAX相陶瓷极其制备方法和用途
中国科学院金属研究所 专利 MAX相 陶瓷
2023/9/25
中国科学院金属研究所专利：多孔导电MAX相陶瓷极其制备方法和用途
中国科学院兰州化学物理研究所3D打印结构化陶瓷催化器件研究获进展（图）
3D打印 结构化 陶瓷催化器件
2023/9/22
功能陶瓷具有耐高温、耐腐蚀和高硬度等特性，在航天航空、生物医学和精细化工等领域备受关注。然而，功能陶瓷因特殊的高熔点和高脆性等，无法采用传统加工技术制备出复杂、高精度结构。因此，结合增材制造技术快速构筑复杂结构陶瓷，实现其快速精密加工制造，并通过结构设计改善其性能，具有重要意义。中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室3D打印摩擦器件组联合精细石油化工中间体国家工程研究中心工业催化课题组...
中国科学院金属研究所专利：锆铌铝硅碳固溶体材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铌铝硅碳 固溶体材料
2023/9/14
本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种锆铌铝硅碳固溶体材料及其制备方法。锆铌铝硅碳固溶体材料的化学式为(Zr1-zNbz)2(Al1-ySiy)4C5,其中,Nb取代Zr的原子摩尔取代量z的取值范围为0＜z≤0.3,Si取代Al的原子摩尔取代量y的取值范围为0＜y≤0.2。首先,以锆粉、铌粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装入石墨模具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉内烧结,获得锆铌铝...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：矿物绝缘电缆的陶瓷封头
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 矿物绝缘电缆 陶瓷封头
2023/9/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：矿物绝缘电缆的陶瓷封头
本发明涉及硼化物陶瓷领域,特别提供了一种在较低温度下,以三元层状碳化物钛铝碳(Ti3AlC2)作为烧结助剂制备致密的二硼化钛(TiB2)块体材料的方法,可以解决二硼化钛陶瓷难烧结的问题。采用不同质量比的TiB2粉和Ti3AlC2粉为原料,原料经过物理机械方法混合5～40小时,以5～20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体作为保护气氛加热至1400℃～1600℃原位反应0.5～4小...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种陶瓷双电容式压力变送器电路
中国科学院金属研究所专利：锆钛铝硅碳固溶体材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆钛铝 硅碳 固溶体材料
2023/9/12
本发明涉及陶瓷材料领域,具体为一种锆钛铝硅碳固溶体固溶体材料及其制备方法。锆钛铝硅碳固溶体材料的化学式为(Zr1-xTix)2(Al1-ySiy)4C5,其中,Ti取代Zr的原子摩尔取代量x的取值范围为0＜x≤0.5,Si取代Al的原子摩尔取代量y的取值范围为0＜y≤0.2。首先,以锆粉、钛粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装入石墨模具中冷压成型,在通有保护气氛的热压炉内烧结,获得...
本发明涉及三元层状陶瓷钛硅碳材料领域,具体为一种提高高温结构陶瓷-钛硅碳高温力学性能与高温抗氧化性的方法。通过制备原位反应生成的Nb固溶的钛硅碳材料来提高高温力学性能与高温抗氧化性能,其中：钛硅碳陶瓷指三元层状陶瓷Ti3SiC2或含固溶Al的Ti3(SiAl)C2,Nb固溶的钛硅碳材料指在Ti位置上固溶Nb。在Ti位置上固溶0～10at.％Nb,从而形成(Ti1-xNbx)3SiC2或(Ti1-x...
中国科学院金属研究所专利：一种SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC 蜂窝陶瓷材料
2023/9/8
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种多孔薄壁、高强度、高比表面、低膨胀、高导热、抗热冲击性能高、结构可控的SiC蜂窝陶瓷材料及其制备方法。所述SiC蜂窝陶瓷材料具有连续单一的类似于蜂窝形的整体结构,沿轴向有许多平行的通道,通道的形状可以是三角形、波形等；组成蜂窝结构的单位面积孔数可控制在100～5/cm2之间,孔壁厚度可控制在0.2～2mm之间；孔壁可以为致密结构,也可具有微孔结构；...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧氮 陶瓷材料
2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：(0.8~1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料,所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小...
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料,经过球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,在通有保护气体(Ar)的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃,升温过程的同时加压15~40MPa,原位反应1~3小时,降温...