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ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料,具有高达60 meV的激子束缚能,远高于室温热离化能(26 meV),因此,在室温下激子可以在ZnO中稳定地存在,是实现室温或者更高温度下的紫外自发与受激辐射的理想材料,在获得低域值、高品质因子的紫外激光上体现出十分突出的本征物理优势。此外,非中心对称的纤锌矿结构ZnO微纳米材料还具备特殊的压电性能,当材料受到外加应力时,晶体内部的离子极化引起介质介电常数的...
ZnO/ZnFe2O4复合纳米粒子的制备及其特性研究
ZnO ZnFe2O4 纳米复合结构 光催化特性
2014/11/15
利用水热法制备了ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光光谱(PL)对退火前后的ZnO/ZnFe2O4纳米粒子进行表征。研究结果表明, 退火后的ZnO/ZnFe2O4纳米复合粒子表现出更好的形貌和晶体质量, 主要由六角纤锌矿结构的ZnO和立方结构的ZnFe2O4构成。PL光谱显示, 退火后ZnO近带边的发光强度明显降低, 这是由于ZnO/ZnF...
K掺杂p型ZnO薄膜的制备及其表征
氧化锌 薄膜 掺杂
2009/2/1
以ⅠA族元素钾(K)作为掺杂剂,利用射频磁控溅射沉积技术,在单晶Si(111)衬底上成功生长了K:p-ZnO薄膜.采用Hall测试仪、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电谱等测试分析技术,对其结构和电学性能进行了研究.结果显示,该p-ZnO薄膜呈现良好的(002)单重择优生长特性,当衬底温度为500℃,氧分压为30%时表面粗糙度仅为89.05nm,其相应的空穴浓度为5.45×1017/cm3,迁移...
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功(图)
ZnO纳米材料 晶体管
2008/9/12
近日,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。
ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能,在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景,引起了国际学术界的极大关注。目前,国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
中科院微电子所张海英研究员领导的课题组,使用...
用MOCVD方法在GaAs衬底上低温生长ZnO薄膜
MOCVD ZnO薄膜 GaAs 低温
2008/3/16
采用二乙基锌(DEZn)和水(H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,在100~400℃低温范围内,在GaAs (001)衬底上制备了ZnO薄膜. 利用X射线衍射(XRD), 室温PL, AFM, SEM研究了薄膜的晶体结构特性、发光特性及表面形貌特性. XRD分析表明ZnO薄膜具有很强的c轴取向,(002)峰的FWHM平均值为0.3. .当生长温度达到400℃时从SEM...