搜索结果: 1-5 共查到“电子元件与器件技术 MOS”相关记录5条 . 查询时间(0.093 秒)
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
Statistical Model of Hot-Carrier Degradation and Lifetime Prediction for P-MOS Transistors
Hot-carrier P-MOS transistor lifetime prediction
2009/7/28
Along with advances in microelectronics, and computer and space technologies, device dimensions are becoming smaller; as a result, hot-carrier effect, lifetime prediction, and reliability become more ...
纳米MOS器件RTS噪声测量与分析
随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器
2009/1/22
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法．应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列，采用逐点差分和高斯函数拟合方法，提取了随机电报信号噪声的相对幅度，再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数．通过对90nm MOS器件的测量分析，结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法，而且在相同精度要求下，需要的采样点仅为传统方法的1/10．在随机电报信号时常数较小...
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论. 晶体管分成两个区域，源区和漏区. 每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区. 把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程，并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性，得到在源区和漏区内解析方程. 典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅（MOS）栅. 用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内...
Relaxable Damage in Hot-Carrier Stressing of n-MOS Transistors
Stress relaxation diode parameters
1999/5/9
A method for device characterization is experimented to qualify the relaxable damage in hot-carrier stressing of n-MOS transistors. The degradation of physical parameters of the body-drain junction of...