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2019年2月4日,清华大学微纳电子学系任天令教授团队在《美国化学学会纳米》 (ACS Nano)在线发表了题为《超低亚阈值摆幅,超高开关比双模式二硫化钼导电细丝晶体管》(“Two-Mode MoS2 Filament Transistor with Extremely Low Subthreshold Swing and Record High On/Off Ratio”)的研究论文,首次在埋栅...