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对CNMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行讨论,给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100oC等温和25~250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明:25、100℃等温退火激发能范围分别在0.65~0.76eV和0.75~0.95eV之间;25~250℃等时退火的激发能范围在0.5~1.1eV之间,峰值位于0.8...