搜索结果: 1-8 共查到“光电探测器及光探测技术 芯片”相关记录8条 . 查询时间(0.187 秒)
说起对于胸片、CT类检查的印象,很多人会说“怕有辐射”。3月28日,记者获悉,我国在薄膜晶体管(TFT)传感器技术上实现了重要突破,中科爱锐基于该技术研发的X射线探测器芯片,可应用在X射线医疗影像设备上,打破目前“高分辨率与低放射剂量不可兼得”的困局,在降低放射剂量的同时无损影像的高清晰度、甚至可以获得更高清影像。
红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置
测试装置 红外焦平面
2008/11/5
该实用新型涉及红外探测器的一种性能测试装置,特别是红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置。在红外焦平面列阵探测器的制备过程中,列阵芯片的性能测试是必不可少的。该实用新型的目的为克服上述已有技术中存在的问题,将原来敞开式液氮致冷改为封闭式的液氮致冷,并能起到电磁屏蔽的作用:保证探针和像元的接触良好而不损坏电极:探针的移动用机械驱动,提高工作效率。该实用新型的解决方案是将芯片致冷部分、探针测量部分放入...
碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片
芯片 探测器
2008/9/26
本实用新型公开了一种碲镉汞红外探测器微小光敏元芯片,芯片由白宝石衬底上固定的碲镉汞材料,在碲镉汞材料表面依次生成氧化层和二氧化硅层,再在二氧化硅层上方,在微小光敏元以外的区域蒸镀一层金属膜组成。所说的微小光敏元的大小根据需要而定。本实用新型的特点是通过增加绝缘层并使电极区域延伸到少数载流子扩散长度之外,来延长光生载流子在碲镉汞材料体内的维持时间,增加其有效寿命,从而提高了器件的性能。该器件特别适用...
多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片
量子阱 芯片
2008/9/26
本发明提供了一种新型的基于MOS特征的量子阱红外光伏探测器材料的设计。在红外光的辐照下,它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱光伏探测器更强的光伏信号,从而构成更加适用于量子阱红外焦平面器件的材料。该专利介绍了器件相应的基本结构,包括量子阱材料具体量子阱结构设计、掺杂条件、偏置电压条件等。
一种多芯片倒焊互联线列混成红外焦平面探测器
倒焊 红外焦平面
2008/9/19
本实用新型提供了一种线列焦平面器件多芯片倒焊互联新方法。其技术特点在于,在倒焊互联基板上面制备金属薄膜引线电极,通过多芯片倒焊技术,把红外敏感元列阵芯片与读出电路分别倒焊在同一块倒焊互联基板上,利用基板上的金属薄膜引线完成光敏元与读出电路输入级的互联。本实用新型可用于线列红外焦平面器件的倒焊互联,具有使用灵活、热循环可靠性高的特点。
该课题对正面进光结构InP/InGaAs PIN 光电探测器芯片进行了全面、系统的研究,开发了开管锌扩散工艺方法;设计了双层增透膜,提高了光响应度;采用了电镀加厚焊接电极;实现了低阻P型欧姆接触。该研究达国际先进水平。
碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片
碲镉汞 红外光电探测器 微小光敏元芯片
2008/8/26
该实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片,包括衬底,通过环氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片等器件。在碲镉汞片裸露的侧面覆盖有一侧面钝化层,有了侧面钝化层,探测器的电阻、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。