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搜索结果: 1-1 共查到光电子技术 3.5GeV相关记录1条 . 查询时间(0.062 秒)
2008年8月8日16:54,上海光源(SSRF)电子储存环第二阶段调束取得重大进展,首次成功实现3.5GeV能量下束流储存(流强为50mA),刷新了先前能量达到3.0GeV的调束记录。 储存环第一阶段的调束,在使用3套常温高频腔备用方案的情况下,先后取得了3.0GeV调束出光,100mA@3.0GeV、200mA@2.0GeV和300mA@1.5GeV束流储存,束流轨道闭轨校正与轨...

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