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半导体所高性能GaN外延材料研究取得进展
半导体
2008/1/18
近日，由中国科学院半导体研究所承担的知识创新工程重要方向项目——“高性能氮化镓(GaN)外延材料研究”通过了专家鉴定。以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料，是继半导体第一代硅材料和第二代砷化鎵材料之后，在近十年迅速发展起来的新型宽带隙半导体材料，是目前全球半导体研究的前沿热点和各国竞相占领的战略高技术制高点。2002年中国科学院瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，将“新型高頻大功率化合...