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以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料，在材料表面制备CVD SiC涂层，研究涂层试样氧化前、后的微观结构和室温弯曲性能。研究结果表明：CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体、裸露裂纹和附着裂纹组成，于1 400 ℃氧化时附着裂纹发生愈合；C/SiC试样的弯曲强度为119.9 MPa，涂层试样及其分别经1 000，1 200和1 400 ℃连续氧化5 h后，弯曲强度分别为188.5，41.0，60...
基于稳健设计方法的碳/碳复合材料CVD工艺方法研究
CVD 稳健设计 碳碳复合材料
2008/11/24
该课题为碳/碳C/C复合材料是碳纤维增强碳基复合材料的研发。该项目在国内首次应用稳健设计方法研究C/C复合材料快速CVD工艺方法。稳健设计方法在国外已被成功地应于工程实践。在电子电路设计、汽车刹车水平设计、产品设计中获得有效应用。将稳健设计方法应用于碳/碳复合材料快速CVD工艺在国内属于创新研究。用基于稳健设计方法的碳/碳复合材料CVD工艺方法研制的碳/碳复合材料具有良好的摩擦磨损性能，在本研究...
A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film
CVD diamond films nucleation growth twinning dislocation density 3D EBSD FIB
2008/10/8
We have studied the nucleation and growth processes in a chemical vapor deposition (CVD)
diamond film using a tomographic electron backscattering diffraction method (3D EBSD).
The approach is based ...
摘要基于负载法Fe-MgO体系催化剂研究了化学气相沉积（CVD）法在流化床反应器中反应温度和时间对单壁碳纳米管（SWCNTs）生长的影响。通过气相色谱对尾气进行实时在线分析，获得了CH4在反应过程中的转化率随时间的变化规律。并对不同反应温度和反应时间所获产品进行了TEM、Raman和TGA等表征。结果表明，900℃是最佳的反应温度，反应温度过低会降低催化剂活性，反应温度过高则容易使催化剂过快失活。...
用EA-CVD方法制备的大尺寸金刚石厚膜的品质和膜厚均匀性的研究
EA-CVD 金刚石厚膜 品质和膜厚均匀性
2008/2/28
摘要根据金刚石厚膜的实际应用要求，建立了EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法，制备出直径为80mm，膜厚为1mm以上的大尺寸高品质的均匀金刚石厚膜，其膜厚不均匀性小于5%，热导率不均匀性小于10%，膜片中部和边缘磨耗比基本相同，大约在1.5×105左右。同时研究了制备参数对膜的品质和膜厚均匀性的影响。结果表明：甲烷浓度、工作气压...
热丝CVD大面积金刚石薄膜的生长动力学研究
热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 动力学生长 模拟计算
2008/2/28
摘要在传统工业型热丝化学气相沉积（HFCVD）反应腔内，相关工艺参数取模拟计算优化值的条件下，采用XRD，SEM及Raman光谱等分析手段研究了单晶Si(100)上较大面积金刚石薄膜的动力学生长行为，讨论了晶格取向的变化规律。结果表明：优化工艺参数条件下，在模拟计算的衬底温度和气体温度分布均匀的区域内，沉积的金刚石薄膜虽存在一定的内应力，但整体薄膜连续、均匀，几何晶形良好，质量较高，生长速率达1....
SiC纤维CVD涂层工艺研究
SiC纤维 B4C涂层 富碳B4C涂层 CVD工艺
2006/4/1
对SiC纤维的CVD涂层工艺进行研究。实验发现采用BC13,H2及CH4作为反应气体,采用与SiC纤维生产工艺相匹配的走丝速度并控制一定的工艺参数,在1350℃左右可得到厚度2～3mm且表面致密的B4C涂层,纤维涂层后性能基本保持不变。仅采用BC13及CH4作为CVD涂层工艺反应气体,在1180-1250℃即可沉积出表面光滑致密,厚度2-3mm的富碳B4C涂层,涂层后纤维性能可提高10%左右,且涂...