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随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点，性能远优于Si基器件；采用GaN基功率开关器件的电子系统效率可改善3.5%至7%，体积可减小35%，兼具高性能和高可靠...
GaN}基紫光 LED的可靠性研究
无机非金属材料 GaN 紫光LED 可靠性
2007/10/26
文章摘要：
测量了GaN基紫光LED的光功率($P$)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,
研究了LED的可靠性. 结果表明, 紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减, 而在48 h后衰减速率减慢;
与光功率的衰减规律相对应, 其$I$--$V$曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的
电流都有明显的增加. 对载流子的输运机制的分析表明,...
退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响
无机非金属材料 p--GaN 离子注入
1900/1/1
在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子, 然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火, 研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明, 离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀. 在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}$和360 cm$^{-1}$两个新峰, 其强度随着...