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氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料的典型代表，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强以及耐化学腐蚀等优点，在下一代电子和光电器件领域具有极强的竞争优势和应用前景。目前，在高频高功率电子器件和高灵敏度光电探测器方面已有广泛应用，然而高性能器件功能的实现需要GaN材料兼具低位错密度和半绝缘特征，但在GaN的生长过程中，蓝宝石衬底中大量氧元素向上扩散现象的存在，导致...
GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征
氮化镓薄膜 溶胶-凝胶 六角纤锌矿结构
2009/8/14
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶，再甩胶于Si(111) 衬底上，在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.X射线衍射（XRD）分析及选区衍射分析（SAED）表明所制备的薄膜是六角纤锌矿结构GaN薄膜；XPS分析其表面，结果显示样品中的镓元素、氮元素均以化合态存在，且Ga：N约为1：1；PL谱分析结果表明所制备的薄膜具有优良的发光性能.
在硅衬底外延生长GaN材料（中科院）
GaN 外延
2008/12/5
Si衬底上生长GaN将主要采用低温AlW作缓冲层，用横向生长技术，AlGaN/GaN超晶格，多次成核的方法来减小GaN层应力和缺陷，发来新的减少应力和缺陷的方法，研究低维结构的生长技术，用X射线衍射，透视电子显微镜，Raman谱，AFM研究其微结构，用变温光荧光、光发射谱、变温Hall，光荧光瞬态谱的方法研究物性。采用制成原型器件的方法研究微结构对器件参数的影响。