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CR-CVD方法生长a-SiNx:H薄膜的研究
ECR-CVD a-SiNx:H薄膜 发射光谱 红外光谱
2007/12/18
摘要 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-CVD）方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜，通过改变前驱气体（SiH4＋80％Ar和NH3）的流量比，研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明：随着NH3流量的增加，氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势，这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的；随着NH3流量的增加，薄膜中键合了较多的具有较高电...
工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响
2007/12/13
摘要 采用不同的沉积条件, 通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜. 讨论了薄膜退火前后的介电性能. 研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系. 通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性. 结果表明, 退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质, 改善了薄膜质量. 获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能, 在50...
超硬无机材料纳米粉末CVD合成热力学分析
超硬无机材料 纳米粉末 化学气相沉积(CVD) 热力学
1996/5/14
通过热力学分析研究了超硬无机材料，如Sic、Si3N4、TiC、TiN等纳米粉末的化学气相沉积(CVD)合成反应过程和核化过程的有关热力学规律。结果表明：合成物以共价键和以金属键为主的合成反应和化学反应过程对温度、压力均比较敏感，热力学驱动力随温度变化增加比较明显，对外压的敏感表现为增大压力对合成反应不利。合成物以离子键为主时，反应的热力学驱动力随温度变化不明显，外压的影响也不显著。对于核化过程，...