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GaN基SiTrO3薄膜的生长偏转模型和模拟研究
材料表面与界面 偏转模型 密度泛函理论 STO/GaN磁电薄膜
2010/8/15
构建了SrTiO3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10o、20o、30o、40o和50o具有不同界面结构的生长模型, 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算。结果表明, 在晶格失配小的理想外延方向即[1--10]SrTiO3//[10--10]GaN的能量最高, 结构不稳定; 而随着STO[1--10]沿G...