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沉积温度对CVD SiC涂层显微结构的影响
2007/12/12
摘要 以MTS为先驱体原料, 在950～1300℃、负压条件下沉积了CVD SiC涂层. 利用SEM对涂 层的表面形貌和断口特征进行了表征. 沉积温度和SiC涂层表面形貌的关系如下: 950℃时, 沉积的SiC颗粒非常细小, 为独立的球形堆积; 1000～1100℃时, CVD SiC涂层表面光滑、致密; 1150～1300℃沉积的SiC涂层呈现出球状或瘤状结构且表面粗糙. 结合热力学和晶体形核-...