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搜索结果: 1-6 共查到陶瓷学 效应相关记录6条 . 查询时间(0.234 秒)
光致伸缩效应通常指材料在光照下产生非热形变的现象。这种效应能够将光能直接转化为机械能,在光机电领域具有潜在的应用前景。目前,研究人员已相继在半导体材料、铁电材料、有机高分子材料、有机无机杂化钙钛矿材料等多种材料体系中发现光致伸缩效应。研究发现不同材料体系的光致伸缩效应的产生机理各不相同。其中,铁电材料因其较大的光致伸缩强度、较快的光致伸缩响应速率以及优异的稳定性而得到广泛研究。不过大部分块体材料的...
近日,西安交大机械学院韩宾副教授联合南京航空航天大学卢天健教授在国际材料领域权威刊物 International Materials Review(材料综述类期刊https://www.tandfonline.com/toc/yimr20/current)上发表综述论文“Confinement effects on compressive and ballistic performance of ...
认为含弧形裂纹复合陶瓷由随机方向的三相胞元与有效介质构成,用细观力学的方法研究了复合陶瓷的损伤失效和强度。首先确定三相胞元的外载应变,再依据复合陶瓷在损伤过程中的细观应力场和广义热力学力,计算出三相胞元内基体和颗粒的损伤等效应力,当基体和颗粒的损伤等效应力分别等于两者的极限应力时,得到基体和颗粒的破坏应力。然后,根据混合型应力强度因子计算弧形裂纹扩展时的能量释放率,进而得到界面的破坏应力。最后综合...
通过体胞分析方法, 对处于陶瓷间约束金属薄层中和陶瓷/金属界面上的孔洞间的相互作用进行了大变形弹塑性有限元分析. 计算结果表明:(1)较软的约束层中的孔洞对界面的长大具有屏蔽作用, 当约束层中孔洞与界面上孔洞的大小相差不大时, 约束金属薄层中的孔洞对界面上的孔洞具有较强的屏蔽作用, 破坏一般起始于约束层中;当支中孔洞较界面孔洞小得多时, 它对界面上孔洞的屏蔽作用减弱, 界面上的孔洞长大较快.
摘要 钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关,蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂,研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸...
文章摘要: 首次报道了用溶胶--凝胶法制备的钛酸铅铁电玻璃陶瓷的晶粒尺寸对其高频介电性能的影响. 研究表明, 铁电玻璃陶瓷的高频介电弛豫主要是由材料内部的畴壁共振引起的.晶粒尺寸增加, 畴壁宽度增大, 介电弛豫向低频移动; 反之, 晶粒尺寸减小, 畴壁宽度变小, 介电弛豫向高频移动, 弛豫频率提高, 介电损耗变小.

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