搜索结果: 1-6 共查到“材料科学基础学科 p-GaN”相关记录6条 . 查询时间(0.046 秒)
Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
GaN Si衬底 位错 TEM
2011/12/8
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明：Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系；材料在MQW附近的穿透位错密度达108cm-2量级，且多数为刃型位错；样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错，本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进...
Si基外延GaN的结构和力学性能
Si基 GaN 力学性能
2009/3/11
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延...
高温AlN模板上p型GaN的生长研究
高温AlN 渐变δ掺杂 均匀掺杂 金属有机物化学气相沉积 p型GaN
2008/10/14
利用低压金属有机物化学气相沉积技术，采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法，分别在氮化镓（GaN）和高温氮化铝（HT-AlN）模板上，生长了p型GaN外延材料. 生长后，双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明：HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能. 该p型GaN样品的（0002）面半峰宽值小至178" ，其空穴氧浓度为5.78e17cm-3. 在对Cp...
GaN场发射高分辨电子显微像的图像处理-显示GaN中原子分辨率晶体缺陷的可能性
GaN 晶体缺陷 高分辨电子显微学
2007/12/21
本文介绍了场发射高分辨电子显微像的图像处理原理,用300 kV场发射电子显微镜的参数模拟了GaN完整晶体和缺陷晶体结构模型的显微像.经过处理的显微像上能够分辨间距为0.112nm的Ga和N原子,并能显示N原子空位.
退火对Mg离子注入 p-GaN薄膜性能的影响
无机非金属材料 p--GaN 离子注入
2007/10/26
文章摘要：
在用MOCVD方法生长的p--GaN薄膜中注入Mg离子,
然后在N$_{2}$气氛下在850$\sim$1150℃之间快速退火,
研究了Mg$^{+}$离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质. 结果表明,
离子注入使GaN晶体沿着$a$轴和$c$轴方向同时膨胀.
在离子注入后的p--GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm$^{-1}...
Crystal quality and electrical properties of p-type GaN thin film on Si(111) substrate by metal-organic chemical vapor deposition MOCVD
Mechanical properties p-GaN Strain
2007/9/30
Purpose: In this paper, p-GaN samples have been grown on silicon substrates under various processing conditions. The effects of growth tenperature and thermal annealing on the crystal quality and stra...