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HFCVD法制备纳米晶体碳化硅薄膜中氢流量对晶粒尺寸的影响
纳米晶体 SiC薄膜 HFCVD
2009/8/14
以甲烷、硅烷和氢气为反应气体，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法在单晶硅衬底上沉积纳米晶体碳化硅(SiC)薄膜.通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜（SEM）分别对SiC薄膜的晶体结构和表面形貌进行分析.实验发现氢气流量对碳化硅薄膜晶粒尺寸有很大影响，当氢气流量从10SCCM变化到300SCCM时，薄膜晶粒的平均尺寸将由较大的400 nm左右减小到40 nm左右.
HFCVD生长金刚石薄膜中气体状态参数空间场模拟计算
金刚石薄膜 均匀生长 空间场 模拟计算
2008/11/18
本文对ＨＦＣＶＤ过程中的气体状态参数空间场进行了模拟计算, 结果表明, 气体的温度, 体密度, 速度和质量流密度场是空间位置的函数, 在合适的位置, 可获得均匀的温度和质量流密度, 这些结果可为制备大面积均匀金刚石薄膜时工艺参数选择提供理论依据.