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中国科学院深圳先进技术研究院专利:绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
中国科学院金属研究所专利:圆管开孔划线装置
中国科学院微电子研究所专利:一种低温晶圆键合方法
中国科学院国家纳米科学中心专利:一种基于金纳米锥聚集的圆二色信号检测DNA的方法
中国科学院化学研究所专利:聚光式圆二色光谱检测系统的研制
中国科学院化学研究所专利:直流电场圆二色光谱检测系统的研制
据《科创板日报》消息,英飞凌宣布,将在德国德累斯顿开始建设模拟/混合信号技术和功率半导体新厂,德国联邦经济事务和气候行动部(BMWK)已批准提前启动这一项目。目前,公司仍在等待欧盟委员会确认10亿欧元补贴,在欧盟委员会完成法律补贴方面的检查工作之前,英飞凌就可以开始建设新厂。
近日,为应对半导体设备人力供需失衡挑战,晶圆代工厂商联电在中国台湾南科晶圆12A厂P5厂区设立的半导体设备学院正式开幕。机台设备是半导体生产的基石,联电共同总经理简山杰表示,随着公司持续扩产、新机台进驻,对半导体设备工程师的需求日益增加。联电表示,预计1年内完成600位设备工程师培训,并自2023年推广至联电境内外其他厂区。
以二硫化钼为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性,是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来,国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破,在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术,在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。5月23日,相关研究成果以Graphene-assisted metal transfer printing for wafer-scale integration of metal electrodes ...

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