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南京大学物理学院李绍春教授课题组在二维拓扑绝缘体研究中取得重大进展。该课题组使用精控分子束外延技术首次生长出大带隙的二维拓扑绝缘体ZrTe5单层，通过扫描隧道显微学测量发现单层ZrTe5具有不同于体结构的两种全新结构相，并存在高达~250 mV的拓扑非平庸带隙和边界金属态，为未来实现室温量子自旋霍尔效应提供了可能的材料平台。
南京大学化学化工学院郑佑轩课题组在基于轴手性发光材料和器件方面取得新进展（图）
轴手性 发光材料 发光器件
2024/8/26
由于手性多重共振热激活延迟荧光（CP-MR-TADF）材料具有高量子产率、高色纯度，并能直接实现圆偏振发光（CPL）的特点，在制备圆偏振有机电致发光器件（CP-OLED）以及3D显示中有重要的应用前景。然而，在MR-TADF的刚性骨架中引入手性源，容易引起发射光谱的展宽。并且由于手性源与发光中心的分离，CP-MR-TADF的CPL性能往往不尽人意。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：表面具有微纳米结构的生物陶瓷支架及其制备方法和应用。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种3D打印陶瓷坯体的排胶和烧结工艺。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种高介电常数的多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种检测相变铁电陶瓷剩余极化强度的装置及方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种表面活性剂疏水改性分散剂制备泡沫陶瓷的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种疏水絮凝制备泡沫陶瓷的方法
中国科学院上海硅酸盐研究所 专利 疏水絮凝 泡沫陶瓷
2024/7/11
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种疏水絮凝制备泡沫陶瓷的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种高极化强度的新型室温多铁陶瓷及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种工业CT分析物体密度及密度分布的方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种硒化高分子聚合物正极材料及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种长条状碳化硅陶瓷部件烧结用工装
中国科学院上海硅酸盐研究所 专利 长条状 碳化硅陶瓷 部件烧结 工装
2024/7/10
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种长条状碳化硅陶瓷部件烧结用工装。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种低温陶瓷彩绘/记号用粉笔及其制备方法。
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种仿生三元离子掺杂羟基磷灰石生物陶瓷粉体材料及其制备方法和应用
中国科学院上海硅酸盐研究所 专利 仿生 三元离子掺杂 杂羟基磷灰石 生物陶瓷 粉体材料
2024/7/10
中国科学院上海硅酸盐研究所专利：一种仿生三元离子掺杂羟基磷灰石生物陶瓷粉体材料及其制备方法和应用。