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石墨烯晶体管首发生成技术——低温、全表面、直接生成（图）
石墨烯晶体管 低温 全表面 直接生成
2009/12/4
富士通实验室日前宣布，采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃，使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示，由于过程不受尺寸限制，因此可运用于大尺寸晶片，测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...
富士通实验室日前宣布，采用化学气相沉积技术(CVD)在温度较低的条件下直接在大尺寸绝缘衬底上全面生成石墨烯晶体管。富士通将石墨烯制造温度明显地降低到650℃，使得石墨烯晶体管可以直接在多种绝缘衬底直接生成。在整个晶片表面进行多层石墨烯的低温合成通CVD控制石墨烯的厚度。使用石墨烯作为沟道材料的晶体管生成过程如下图所示，由于过程不受尺寸限制，因此可运用于大尺寸晶片，测试晶片尺寸为77毫米但新技术可应...
四室成功研制实现石墨烯场效应晶体管（图）
石墨烯场效应 晶体管
2009/11/26
中科院微电子所微波器件与电路研究室（四室）针对国际前沿热点石墨烯（graphene）材料及器件开展了创新性研究，在吴德馨院士和刘新宇主任的大力支持下，金智研究员领导课题组对石墨烯材料和器件工艺展开深入研究，近日成功研制实现了首只石墨烯场效应晶体管（GFET）。
石墨烯纳米带太赫兹探测器物理研究取得重要进展（图）
石墨烯 纳米 太赫兹 探测
2009/11/13
石墨烯是由碳原子在二维空间上紧密堆积成六角星形晶格结构的一种新型材料。它具有丰富的物理内涵和重要的应用价值，近年来已成为材料科学和凝聚态物理等领域的研究热点之一。石墨烯的光学性质一直倍受人们关注。研究表明，从太赫兹到可见光的频率范围内，石墨烯的吸收系数一般都小于3%，也就是说，石墨烯的光学响应极其微弱。这导致石墨烯在光电子学领域的应用受到强烈制约，成为发展石墨烯光电器件的主要障碍。
打开碳纳米管制备石墨烯
碳纳米管 石墨烯
2009/5/22
石墨烯是一个原子厚的碳薄片，具有独特的电特性，有望在电子领域获得众多应用。研究人员面临的最大挑战之一是如何大批量生产石墨烯。最近，两个研究小组证明通过打开碳纳米管可以生产各种宽度的石墨烯带。
《科学》：科学家用石墨烯成功制备出石墨烷
石墨烷 超薄材料
2009/2/5
近日，英国曼彻斯特大学物理学与天文学院的安德烈·格伊姆教授和科斯特雅·诺沃塞洛夫博士，在石墨烯基础上开发出一种具有突破性的新材料——石墨烷。他们用纯净的石墨烯和氢制备出了一种具有绝缘性能的二维晶体石墨烯衍生物——石墨烷。该方法也同样适用于制备出其他基于石墨烯的超薄材料，这些新型超薄材料具有不同导电性能。相关研究结果发表在1月30日出版的美国《科学》杂志上。