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搜索结果: 211-225 共查到薄膜光学及技术相关记录463条 . 查询时间(4.578 秒)
尖晶石Mn-Co-Ni-O三元氧化物具有优良的负温度系数(NTC),是一种制作热敏红外探测器较为理想的材料。采用射频磁控溅射法在非晶Al2O3衬底上制备了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4(MCNO)多晶薄膜。使用能量色散X射线谱(EDS)对薄膜中金属元素组分进行了测量,分析得出薄膜中金属元素组分与靶材中的组分偏离在5%以内。对经过750℃空气中退火后的薄膜结构、电学和光学性质也进行了研究。...
红外/毫米波分频器件是红外/毫米波复合探测系统的关键器件之一。利用电磁波干涉理论计算和分析了介质材料特征参数对毫米波透射、反射和吸收性能的影响。针对工作频率为35GHz的电磁波,给出了介质材料厚度设计的准则,分析了SiO2材料不同物理厚度和物理厚度偏差对毫米波传输性能的影响。分析结果表明:基底物理厚度越大,基底物理厚度偏差对毫米波透射、反射和吸收性能的影响就越大,要求也越精确。对红外/毫米波分频器...
Dielectric/metal/dielectric (DMD) electrodes have the potential to significantly increase the absorption efficiency and photocurrent in flexible organic solar cells. We demonstrate that this enhanceme...
针对大口径抛物面面形检测,提出一种基于无像差点的子孔径拼接测量新方法。首先,分析了该拼接方案特殊的子孔径生成方式及子孔径名义运动路径计算的形式;其次,通过建立统一的像面坐标系和全局坐标系的函数关系,结合坐标转换求解出各个子孔径数据对应的全局坐标;最后,采用目标函数法拼接恢复出全口径面形。对一抛物面镜利用该拼接方案进行了计算机仿真实验,拼接得到RMS值的偏差为0.0014λ。实验结果表明,该检测方法...
采用磁控溅射法分别在柔性PI衬底、柔性AZO衬底和柔性ITO衬底上制备CdS薄膜,并在干燥空气中以CdCl2为源380℃退火,分别研究了不同柔性衬底及退火工艺对CdS薄膜形貌、结构和光学性能的影响。研究结果表明:退火前在不同柔性衬底上的CdS薄膜形貌依赖于衬底类型,退火后CdS薄膜的晶粒再结晶,晶粒度增大明显,且不再依赖于衬底类型。不同柔性衬底上CdS薄膜均为立方相和六角相的混相结构,退火后,六角...
段微波,男,1981年生,湖北襄阳人,工学博士,中国科学院上海技术物理研究所副研究员,光学薄膜与材料研究室短波专业组组长。2006年4月到2009年1月在中国科学院上海技术物理研究所攻读博士学位,2009年3月留所工作至今。主要从事光学薄膜技术及其工程化应用工作,在微纳光学与光谱调控、光学薄膜的位相与偏振态控制、宽光谱分色与带外抑制等研究方向取得突破,并担任多个型号项目光学薄膜主管设计师。近年来在...
高炬,男, 1982至1987年在中科院北京物理所学习工作期间,就开始了A15 Nb3Ge 和 B1 VN薄膜的成膜和磁通钉扎研究。1987年采用射频磁控溅射和离子束溅射的方法研究高温超导薄膜,1988年进入荷兰团囤大学从事有源和无源高温超导电子器件的研究。1990年首次利用外延生长PrBa2Cu3Oy作为势垒层的技术,成功的发展了多层约瑟夫森边缘结(ramp-type multilayer Jo...
刘定权,男,1964年8月出生,陕西城固人,博士,研究员、博士生导师。现任中国科学院上海技术物理研究所,光学薄膜与材料研究室主任,所学术委员会委员。中国光学学会薄膜专业委员会委员,上海市激光学会理事,上海市红外与遥感学会理事。被评为上海市2008-2010年度十大职工科技创新英才。未来三年的主要研究方向有:(1)薄膜光学与技术;(2)微纳光学与光谱调控研究;(3)红外光学薄膜元件与应用研究;(4)...
李斌,男,1965年5月生,1987年毕业于兰州大学物理系,1992年获兰州大学物理系凝聚态物理专业硕士学位,2003年获中国科学院上海技术物理研究所工学博士学位,2006年至2008年在美国劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory)从事博士后研究工作。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员,博士生导师。目前主要从事光学薄膜与技术、固体光学...
针对溶胶-凝胶法制备的1/4波长二氧化硅增透膜耐环境性差的缺点,对其进行了水氨或/和六甲基二硅氮烷的表面处理,并对单一气氛处理和两种气氛联合处理后的膜层性质进行了对比研究.展现了膜层经各项表面处理后物理性质和微观结构的变化,以及两种气氛联合处理时因处理顺序不同而引起的最终结果的差异.研究表明:水氨蒸汽处理促进了膜层粒子间表面羟基的交联,膜层较处理前厚度降低,但耐摩擦性增强,光学透过率基本保持不变;...
通过优化薄膜硅基太阳能电池的背反电极,使背反电极表面出现均匀的类金字塔结构,能够增大入射光在结区的有效光程,提高光子的捕获率,进而会提高薄膜硅基太阳能电池的光电转换效率.本文采用磁控溅射技术在载玻片上制得Ag/AZO(ZnO:Al)导电薄膜.在控制其它溅射参量为最优化的情况下, 研究了衬底温度对Ag/AZO导电薄膜光电性能及其表面形貌的影响. 研究表明:随着衬底温度的增加, 薄膜的雾度在可见光范围...
对基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角进行了数值计算.结果显示:当基底的消光系数小于0.01时,基底的赝布儒斯特角主要是由折射率决定;当基底的消光系数大于0.1时,基底的赝布儒斯特角不仅与折射率有关,而且还与消光系数有关,随着消光系数发生后周期性变化.研究表明:单层膜-基底系统的赝布儒斯特角主要由膜层的物理厚度、折射率、基底的光学常量所决定;在HfO2-硅和HfO2-融石英基底系统中,赝布儒斯特角随...
针对溶胶-凝胶法制备的1/4波长二氧化硅增透膜耐环境性差的缺点,对其进行了水氨或/和六甲基二硅氮烷的表面处理,并对单一气氛处理和两种气氛联合处理后的膜层性质进行了对比研究.展现了膜层经各项表面处理后物理性质和微观结构的变化,以及两种气氛联合处理时因处理顺序不同而引起的最终结果的差异.研究表明:水氨蒸汽处理促进了膜层粒子间表面羟基的交联,膜层较处理前厚度降低,但耐摩擦性增强,光学透过率基本保持不变;...
对基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角进行了数值计算.结果显示:当基底的消光系数小于0.01时,基底的赝布儒斯特角主要是由折射率决定;当基底的消光系数大于0.1时,基底的赝布儒斯特角不仅与折射率有关,而且还与消光系数有关,随着消光系数发生后周期性变化.研究表明:单层膜-基底系统的赝布儒斯特角主要由膜层的物理厚度、折射率、基底的光学常量所决定;在HfO2-硅和HfO2-融石英基底系统中,赝布儒斯特角随...
通过优化薄膜硅基太阳能电池的背反电极,使背反电极表面出现均匀的类金字塔结构,能够增大入射光在结区的有效光程,提高光子的捕获率,进而会提高薄膜硅基太阳能电池的光电转换效率.本文采用磁控溅射技术在载玻片上制得Ag/AZO(ZnO:Al)导电薄膜.在控制其它溅射参量为最优化的情况下, 研究了衬底温度对Ag/AZO导电薄膜光电性能及其表面形貌的影响. 研究表明:随着衬底温度的增加, 薄膜的雾度在可见光范围...

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