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科学家首次在集成光子芯片上产生偏振纠缠光子对（图）
科学家 集成光子芯片 偏振纠缠光子对
2016/2/4
近日，中国科学院西安光学精密机械研究所的外专千人计划专家Brent E. Little与加拿大魁北克国立科学研究所、香港城市大学、澳大利亚墨尔本皇家理工大学等单位合作，利用非线性微环谐振腔中TE和TM模式间的自发四波混频效应，结合微环谐振腔的滤波选模作用，首次在集成光子芯片上产生了偏振纠缠光子对，该项研究成果近日发表在Nature Communications 杂志上。
视频：大师论坛：基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战
视频 大师论坛 基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战
2014/11/28
视频：大师论坛：基于锗硅材料的芯片上光电子学的前景与挑战。
为了在微流控芯片上形成封闭的微通道等功能单元,克服热压键合中微流控结构的塌陷和热压所致芯片微翘曲对后续键合的影响,提出了一种适用于硬质聚合物微流控芯片的黏接筋与溶剂协同辅助的键合方法。以聚碳酸酯(PC)微流控芯片为研究对象,通过热压法在PC微流控芯片上的微通道两侧制作凸起的黏接筋,通过化学溶剂丙酮微溶PC圆片的表面,然后将PC圆片与带有黏接筋的PC微流控芯片贴合、加压、加热,从而实现微流控芯片的键...
美国佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）和中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组最近利用垂直生长的纳米压电材料阵列研制出大规模发光二极管阵列，并且利用压电光电子学效应首次实现利用外界应力/应变改变纳米压电发光二极管发光强度的过程；首次研制出主动自适应式的、高分辨率的、以光电信号为媒介、并行处理的压力传感成像芯片系统。相关论文于8月11...
集成电路芯片在制造过程中可能被嵌入恶意硬件电路，形成硬件木马.提出一种新的利用芯片电磁旁路泄漏信息的硬件木马无损检测方法.对芯片表面进行区域划分，通过随机选优算法生成硬件木马测试向量集；利用基于负熵指标的投影寻踪技术将芯片高维旁路信号投影到低维子空间，在信息损失尽量小的前提下发现原始数据中的分布特征，从而实现芯片旁路信号特征提取与识别.针对示例性高级加密标准（AES-128）木马电路的检测实验表明...
IBM新芯片用光为互联网服务提速
IBM新芯片 光 互联网服务 提速
2012/12/12
据物理学家组织网、英国广播公司（BBC）12月10日报道，IBM公司表示，该公司在用光代替电子信号传输数据方面取得了重大突破——它们最新研制的一款芯片将光学组件和电子电路“手拉手”集成在了一块芯片上。该公司宣称，这项名为“硅纳米光子学”的突破性技术使各种服务器内的处理器之间能更快传输数据，因此，有望将网络服务的速度提高数百倍，而且成本低廉。IBM公司表示，这是硅芯片首次使用小于100纳米的半导体技...
中国科学院物理所金属纳米线集成纳米光学芯片的原理研究取得新进展
纳米光学芯片 金属纳米线 光学器件
2011/11/17
金属纳米结构中的表面等离激元具有许多奇特的光学性质，如光场局域效应、透射增强、共振频率对周围环境敏感等，因而被广泛应用于纳米集成光学器件、癌症热疗、光学传感、增强光催化、太阳能电池以及表面增强拉曼光谱等。其中，利用表面等离激元设计与制作亚波长光学器件是一个崭新而迅速发展的研究方向。在一维金属纳米结构中，表面等离激元可以将光场限制在远小于光波长的横截面内，这一特性为光学芯片的高密度集成奠定了理论基础...
塑料光纤通信650 nm单片集成光接收芯片研究
光接收芯片 单片集成 光电探测器 塑料光纤通信
2011/8/20
设计了一种用于塑料光纤通信的650 nm单片集成光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器、单双端转换、差分放大器、输出缓冲器及失调电压补偿电路.基于合理假设与近似,从稳态连续方程和边界条件出发,分析了探测器的光谱响应;采用拉普拉斯变换方法,分析其频率响应.采用0.5 μm BCD工艺流片,光接收芯片版图面积832×948 μm2进行测试,结果表明5V反向偏压下,探测器在650 nm的响应度为0....
采用非对称Ｙ分支波导和多模干涉型耦合器级联的方案设计出了一种光纤到户用单纤三向复用器芯片．模拟光谱响应结果表明，三个波长输出光斑清晰，实现了１４ ９ ０ｎ ｍ和１５ ５ ０ｎ ｍ下行波长的下传和１３ １ ０ｎ ｍ 波长的上传.有限差分束传播法模拟结果表明：该器件插入损耗小于１．４９ｄＢ，三个响应波长的带宽满足ＩＴＵ．９８４规定的带宽要求；１３１０ｎ ｍ 上传信号隔离度达到４ ７ｄ Ｂ以上，１４９ｎ...
本文介绍了一种发光二极管（LED）芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制，利用LED p-n结的光生伏特效应，通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量，实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。通过对常用LED芯片测量的实验结果表明，该系统能快速有效的对封装过程中的LED芯片状态进行非接触检测。
LED芯片在线检测方法研究
LED芯片 在线检测 p-n结光生伏特效应 法拉第定律 磁芯
2010/4/12
对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法，基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律，提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态，感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比，根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明，该方法具有较高的检测精度，可以实现对闭合短...
上海研发出高附加值光芯片
上海 光芯片
2009/6/9
6月5日，记者在上海市科学院召开的第五届光电子产业与知识产权国际论坛上获悉，上海浦东张江高科技园区在光电子研究开发方面取得了重大突破，区内两家企业在光传输集成芯片等领域成功研制出两款具有完全自主知识产权的芯片产品，为光传输应用市场带来了革命性进步，并有望加速推动我国“三网合一”（广播电视、互联网和电信网）、光纤到户（FTTH）发展。
GPON用1310nm InGaAsP/InP BH宽温度范围激光器芯片
激光器 GPON 激光器芯片
2008/11/17
该项目使用InGaAsP/InP低特征温度材料代替AlGaInAs/InP高特征温度材料，采用特殊的多量子阱设计，达到了-40℃～+95℃宽温度范围内的技术性能指标。对PBH结构进行了优化设计，提高了器件的性能和可靠性。使用特殊的MOCVD二次外延技术实现了器件性能的优化。GPON用1310nm InGaAsP/InP BH激光器芯片是GPON突发式光模块和GPON光传输网络必须的核心部件，具有...
红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置
测试装置 红外焦平面
2008/11/5
该实用新型涉及红外探测器的一种性能测试装置，特别是红外焦平面列阵探测器芯片的性能测试装置。在红外焦平面列阵探测器的制备过程中，列阵芯片的性能测试是必不可少的。该实用新型的目的为克服上述已有技术中存在的问题，将原来敞开式液氮致冷改为封闭式的液氮致冷，并能起到电磁屏蔽的作用：保证探针和像元的接触良好而不损坏电极：探针的移动用机械驱动，提高工作效率。该实用新型的解决方案是将芯片致冷部分、探针测量部分放入...
155M～1.25Gbps CMOS激光驱动器（芯片）
激光驱动器 CMOS工艺 光纤通信激光器
2008/11/3
UX2210由激光偏置电路、调制电路、自动功率控制（APC）、调制电流温度补偿等部分组成，可兼容3.3V/5V电源电压。该芯片提供了一个CMOS电平的激光失效指示，以及一个用于保护激光器的可编程慢启动电路。慢启动电路内部预设50ns启动时间，可以通过外接电容来延长这个时间。通过外部电阻的调节，UX2210的调制电流可达60mA，偏置电流可达80mA，上升下降时间小于250ps。其采用小型化封装——...