搜索结果: 31-45 共查到“光电子技术 led”相关记录46条 . 查询时间(0.136 秒)
将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED)，对其施加900mA的电流应力，在老化过程中测量白光LED的主要光学参数，考察其光学特性的退化情况。经过4 200 h的老化，样品光通量退化为初始值的15%~18% 。样品的漏电流明显增大，表明芯片有源区缺陷密度提高，但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少，仅观察到黄光部分辐射量的减少，推断出YAG荧光粉的转换...
为了改善白光LED用荧光材料效率低、均匀性差、光衰大、寿命短及物化性能差等不足,本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光LED,并对白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光LED用Ce∶YAG及Pr,Ce∶YAG晶体,并通过吸收光谱,激发、发射光谱对晶体材料的光谱特性进行表征.研究表明,Ce∶YAG单晶荧光材料可以被发射波长460 nm左右的蓝光芯片有效激...
LED用La2(WO4)3∶Eu3+红色荧光粉合成及光谱性能
发光二极管 水热合成 红色荧光粉 光谱分析
2011/5/25
采用水热法并进行热处理成功合成了Eu3+掺杂La2(WO4)3红色荧光粉.通过粉末X射线衍射、扫描电子显微镜,以及能谱来表征荧光粉的晶体结构、颗粒大小、形貌及成分|用激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来表征荧光粉的荧光性能.X射线衍射分析确认了水热的前驱体和后期热处理的样品主要相分别为三斜晶系的La2W2O9和单斜晶系的La2(WO4)3.激发光谱表明La2(WO4)3∶Eu3+荧光粉样品在395...
300 Mbps Transmission with 4.6 bit/s/Hz Spectral Efficiency over 50 m PMMA POF Link Using RC-LED and Multi- Level Carrierless Amplitude Phase Modulation
300 Mbps Transmission 4.6 bit/s/Hz Spectral Efficiency PMMA POF Link Multi- Level Carrierless Amplitude Phase Modulation
2011/5/18
Successful transmission of up to 300 Mbps over a 50 m long POF link using a commercially available Fast Ethernet capable RC-LED is presented. Carrierless Amplitude Phase modulation was used with 16- a...
本文介绍了一种发光二极管（LED）芯片非接触在线检测系统。阐述了检测系统工作原理及检测系统构成。系统采用C8051F020单片机进行控制，利用LED p-n结的光生伏特效应，通过对光生伏特效应中产生的光生短路电流的测量，实现对LED芯片质量及芯片与引线支架电气连接状态的检测。通过对常用LED芯片测量的实验结果表明，该系统能快速有效的对封装过程中的LED芯片状态进行非接触检测。
LED芯片在线检测方法研究
LED芯片 在线检测 p-n结光生伏特效应 法拉第定律 磁芯
2010/4/12
对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法，基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律，提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态，感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比，根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明，该方法具有较高的检测精度，可以实现对闭合短...
苏州纳米所高端LED外延片成功实现量产
苏州纳米所 LED
2010/1/26
最近，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所半导体照明LED产业化取得可喜成绩，研制出高亮度、长寿命蓝光LED，波长455-460nm（背光源用），发光功率超过22mw，Vf<3.2V，ESD（2000V）>90%，各项指标在国内行业中属最好水平，目前已开始批量生产。
侧光式LED背光源的导光板网点设计
背光源 导光板 网点设计
2009/9/22
导光板是背光模组的关键组件，决定了出光效率以及出光均匀度。以2颗LED灯的侧背光为例，建立其相应模型，并运用光学理论推导出导光板网点排布规律，得到一个形式简约的公式，并将其进行扩展应用，推出了多颗灯情况下的导光板排布规律；另外将其进行等效应用，得到了线光源情况下的导光板的排布规律。
LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG光纤制备与特性
白光源 单晶光纤 荧光材料
2009/9/17
采用激光加热基座法制备LED白光源用Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料，对所制备材料的荧光光学特性进行了实验分析结果表明,在Pr3+和Ce3+共掺发光过程中，Pr3+离子的发光可以通过Ce3+敏化作用使得其610 nm谱线荧光强度得到有效增强|利用所制备Pr3+,Ce3+:YAG单晶光纤荧光材料与蓝色LED合成产生高效LED光纤白光源，光源的色坐标为(x＝0.322，y＝0.335)，显色...
GaN基LED溢出电流的模拟
多量子阱 溢出电流 极化效应
2009/8/27
通过分析影响电子溢出的因素，建立多量子阱的物理模型，得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响，认为极化效应使能带弯曲，电子溢出量子阱，溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响，并为减小溢出电流提供了思路.
Real-Time Implementation of a 1.25-Gbit/s DMT Transmitter for Robust and Low-Cost LED-Based Plastic Optical Fiber Applications
Real-Time Implementation 1.25-Gbit/s DMT Transmitter Robust Low-Cost LED-Based Plastic Optical Fiber Applications
2009/7/15
Real-time implementation of a DMT transmitter in FPGA is demonstrated for low-cost, standard 1-mm step-index plastic optical fiber applications based on commercial resonant-cavity LED and large-diamet...
浙江大学叶志镇课题组ZnO—LED发光研究取得重要进展
浙江大学 叶志镇课题组 ZnO—LED发光研究
2009/7/9
最近，由硅材料国家重点实验室叶志镇教授课题组研制的ZnO发光二极管（LED）原型器件取得重要进展，实现了室温下长时间、高亮度、大面积均匀电致发光。单个LED原型器件大小约4mm2，发出由紫蓝光和缺陷黄绿光混合而成的类白光，持续发光20多分钟。
项目简介：红、绿、蓝是构成多彩自然的三基色，同为平面全色显示器的基本要素，近年来，高亮度、低能耗、长寿命、结构紧凑、全固体化的半导体显示器风靡全世界，几乎点据了主要的大屏幕显示市场，而且正在走进室内，欲以其平面化、响应快、清晰度高、无辐射、低功耗等优点与现有的阴极射线管展开竞争。可以使电视机和计算机的显示器挂上墙壁，给人们以更大的活动空间和更安全的生活环境。然而现在缺少的就是蓝光LED。其它各方面...
LED-3000半导体端面泵浦高重频激光内雕机
激光内雕机 激光器
2008/10/16
该课题组研究的LED-3000半导体激光器端面泵浦高重频激光内雕机，它由激光头、激光电源、声光调Q驱动器、高速振镜系统、电脑控制系统、Z轴升降系统、水冷机等部分组成。由于采用先进的DPSSL激光技术：大功率光纤耦合输出、端面泵浦的激光器，使其具有免维护、工作寿命长、工作频率高、功耗低、体积小、车辆底盘安全检查系统。主要应用于机场、海关、政府、公安、监狱、军事等安全保卫要求严格的重要场所，对进出这些...