搜索结果: 46-60 共查到“光学工程 GaAs”相关记录70条 . 查询时间(0.074 秒)
GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究
GaAs CrPCD聚变中子直照灵敏度
2008/3/7
摘要:介绍了国产GaAs:Cr光电导探测器(简称PCD)在DT聚变中子辐射脉冲测量中的应用，利用PIN探测系统绝对测量结果，获得了GaAs:Cr PCD的14.1MeV中子直照灵敏度是1.5×10-20C cm2/mm3，测量误差为±18%。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。
研究了质子轰击条形双异质结构(DH)激光器的退化特性及P-I 特性,发现一般快退化器件 CW工作寿命小于 200小时.损坏后用 EBIC方法观察到有源区中增殖着暗线缺陷. DH激光器CW工作寿命超过200小时,而且每千小时的退化率小于4％的器件,一般cw工作寿命都能超过5000小时,有的器件已超过8000小时***仍在继续工作. 大部分器件具有良好的线性P-I特性,也有的观察到出现扭折“Kink”...
LP—MOCVD两步生长法制备的InAs0.9Sb0.1/GaAs
金属有机化学气相沉积 InAsSb 两步生长法 GaA
2007/12/29
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在(100)GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、x射线单晶衍射、Hall测量以及Raman光谱等方法对材料进行了表征。分析了缓冲层和外延层生长温度对外延层表面形貌的影响。获得了表面光亮，室温载流子浓度为1．9×10 cm 和迁移率为6 214 cm ／V-s的InAs0.9Sb0.1。在室温Raman光谱中观察到InAs0....
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20 nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显...
LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究
2007/8/20
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.
低温生长GaAs在Nd∶YVO4激光器中调Q特性的研究
2007/8/20
采用一种新型的被动调Q饱和吸收体,低温生长GaAs薄膜，实现了半导体抽运Nd∶YVO4激光器的调Q运转.研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W.在抽运功率9.2 W时，获得的最短脉冲半峰全宽为15 ns，最大单脉冲能量为4.84 μJ，最高峰值功率为330 W，最大平均输出功率为1.16 W；脉冲重复频率在220 kHz到360 kHz之间.
1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
2007/8/20
利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55 μm谐振腔增强型（RCE） 光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10－12A；光电流谱峰值波长1563 nm；响应谱线半宽4 nm, 具有良好的波长选择性.
专著信息
书名
应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用
语种
中文
撰写或编译
作者
俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地
第一作者单位
出版社
量子电子学报, 22(1), 81, 2005
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器...
期刊信息
篇名
Low-Threshold-Current and High-Out-Power 660nm Laser Diodes with a P-GaAs Current Blocking Layer for DVD-RAM/R
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
Zheng Kai (郑凯),Ma XiaoYu (马骁宇),Lin Tao (林涛),Wang Jun (王俊),Liu S...
新型8-14μm GaAs/GaAlAs红外探测器数值模拟和分析
2007/7/28
期刊信息
篇名
新型8-14μm GaAs/GaAlAs红外探测器数值模拟和分析
语种
中文
撰写或编译
作者
李群，杜春霞，沈光地
第一作者单位
刊物名称
北京工业大学学报
页面
1996.12，第22卷，第4期
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
大光电流、超高速的光电子输运机构与红外探测器
一种新型红外GaAs/GaAlAs探测器的研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
一种新型红外GaAs/GaAlAs探测器的研究
语种
中文
撰写或编译
作者
杜春霞，邓军，沈光地
第一作者单位
刊物名称
北京工业大学学报
页面
1996.12，第22卷，第4期
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
大光电流、超高速的光电子输运机构与红外探测器
High Gain Lateral Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse
2007/7/28
期刊信息
篇名
High Gain Lateral Semi-insulating GaAs Photoconductive Switch Triggered by 1064nm Laser Pulse
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
施卫,张显斌,李琦,陈二柱,赵卫
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
Chinese Physics Letters.19 (3) .（SCI收录）
页面
3...
期刊信息
篇名
Investigation of GaAs Photoconductive Switch Irradiated by 1553nm Laser Pulse
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
施卫,贾婉丽
第一作者单位
西安理工大学
刊物名称
半导体学报. 24(10) .（EI收录）
页面
1016-1020,
出版日期
2003年
10月
日
文章标识(ISSN)
0253-4...
High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers
high power semiconductor laser
2007/4/4
A technology of high power, continuous-wave (CW) semiconductor lasers has been elaborated. AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures, grown by molecular beam epitaxy (MBE), were used to fabricate laser diod...
Investigation of strained InGaAs layers on GaAs substrate
low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE)
2007/3/4
A set of In0.13Ga0.87As layers of various thicknesses on GaAs substrate has been grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy (LP MOVPE). The initial stage of relaxation process has been in...