搜索结果: 16-30 共查到“材料实验 Cu”相关记录30条 . 查询时间(0.093 秒)
Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失
Cu单晶体 留滑移线 驻留滑移带
2008/8/21
在循环加载条件下, 单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL), 然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB). 在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理, 观察PSB结构在热激活条件下的变化情况. 结果表明, 退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动, 并使PSB的某些部位逐步细化, 以至消失. 实现了PSB的分段相消. 在退火过程中由于应变能的逐步释...
含Zr Al-Cu-Mg合金的微观组织与疲劳行为
Al-Cu-Mg合金 S-N曲线 疲劳裂纹扩展速率 疲劳断口
2008/5/28
采用常规力学性能和疲劳性能测试、扫描电镜以及透射电镜观察等研究T3和T4热处理制度对含Zr Al-Cu-Mg合金组织和疲劳性能的影响。结果表明：该合金在T3状态下具有更好的综合性能。预变形引入高密度位错导致合金屈服强度显著提高，而伸长率降低不多。当应力比为0.5时，T3状态合金的S-N曲线位于T4状态之上，经106循环周次后，T3状态合金的疲劳强度比T4状态的高10 MPa。在应力强度因子幅度&#...
Zn-Cu包晶合金定向凝固组织演化 I. 实验现象及分析
Zn-Cu包晶合金 定向凝固 组织及相选择
2007/11/9
文章摘要：
对亚包晶、过包晶以及接近包晶点分成的Zn-Cu二元合金进行了定向凝固实验, 研究其在45 K/mm的温度梯度以及2—6400 μm/s凝固速度下的组织选择及深化规律, 发现Zn-2%Cu的低速度凝固组织为η相单相生长, 高速下为η相胞晶+胞晶间ε相的组织; Zn-2.7%Cu, Zn-3%Cu以及Zn-4%Cu的低速凝固组织为η相基体+ε相定向枝晶, 高速凝固组织为...
Al-Cu合金中PLC效应时域和空域行为的实验研究
Al--Cu合金 PLC效应 动态应变时效
2007/11/8
文章摘要：
在不同拉伸应变速率下, 得到了Al--Cu合金中PLC(Portevin--Le Chatelier)效应在时域上的三类“锯齿形”应力--时间曲线,比较并研究了三种曲线的异同及其产生的定性解释。与之相对应, 观察并分析了PLC效应空域上三种类型PLC变形带的空间传播特性.针对3 mm厚的试件, 探讨了在不同拉伸应变率下，类型 A和B的PLC变形带的传播速率随变形过程...
文章摘要：
应用相图计算耦合Scheil模型、简单Scheil方程和实验比较研究了Al--Cu--Zn合金单相凝固过程的凝固路径和微观偏析。相图计算耦合Scheil模型的计算结果显示, Al--Cu--Zn合金单相凝固结束点的溶质含量与凝固初始点的成分同步变化, 溶质含量和溶质分凝系数随凝固过程的进行不断增加; 在热力学计算出合金分凝系数的基础上, 简单Scheil方程可以计算...
一种Cu-Cr-Nd合金的冷变形及时效特性
Cu-Cr-Nd合金 硬度 电导率 冷变形 时效
2007/2/15
采用真空感应熔炼技术浇铸Cu-0.8Cr-0.1Nd(wt%)合金。经过固溶处理、变形和时效处理,利用金相显微镜、显微硬度计、电导仪分析其在铸态以及经过各阶段处理后的显微组织、硬度、电导率的变化。结果表明,添加稀土元素Nd能对铜合金基体起到明显的净化作用,而且对晶粒有一定的细化作用。从实验中还可以看到,Cu-0.8Cr-0.1Nd合金随着时效时间的延长,硬度变化都是先增大而后减小,且变形量越大硬度...
研究了含钪Al-Zn-Cu-Mg-Zr合金的晶间腐蚀和剥落腐蚀行为。结果表明:合金在过时效状态下具有最低的晶间腐蚀与剥落腐蚀敏感性;随着时效时间的延长,其晶间腐蚀与剥落腐蚀敏感性逐渐降低;在EXCO溶液中进行的极化曲线测试也表现出相同的趋势。合金发生晶间腐蚀与η'和S'相的析出与分布紧密相关。随着时效时间的延长,η'和S'相不断析出并向平衡相η和S转变,进一步聚集长大,一方面减少了晶间腐蚀的阳极通...
Al-Cu-Mg-Ag系新型耐热铝合金研究进展
Al-Cu-Mg-Ag Ω相 蠕变 粗化
2006/1/11
从合金成分设计、合金的微观组织演变及热处理工艺对合金性能的影响等方面,系统阐述近年来国内外对Al-Cu-Mg-Ag系新型耐热铝合金的研究及其进展情况。与第二代超音速飞机的其他备选材料相比,Al-Cu-Mg-Ag系合金具有较好的耐热性能和成本优势,代表了中强耐热铝合金的发展方向。
SiC陶瓷与钛合金(Ag-Cu-Ti)-SiCp复合钎焊接头组织结构研究
SiC陶瓷 Ti合金 连接 复合接头
2005/1/15
用合金化的Ag-Cu-Ti粉及SiC粉组成的混合粉末钎料,真空无压钎焊SiC陶瓷和Ti合金。研究结果表明,在Ag-Cu-Ti粉末钎料中加入15vol%~30vol%SiC粉末能明显降低接头热应力,获得完整的SiC颗粒增强的复合接头。加入的SiC颗粒、SiC陶瓷母材均与连接层中的Ti起反应,形成表面反应层Ti3SiC2及分布于Ag-Cu-Ti合金中的Ti-Si化合物,随SiC颗粒增加,反应层变薄。连...
采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni连接强度和界面结构的影响。结果表明:Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/...
1.0wt%Li对Al-Zn-Mg-Cu合金时效硬化的影响
Li 时效 GP区
2002/12/2
对含1.0wt%Li和不含Li的5.6wt%Zn,1.9wt%Mg,1.6wt%Cu,0.3wt%Er合金在110℃,120℃和160℃进行单级时效,并对含Li的铝合金进行110℃/5h+160℃/40h两级时效。由于合金中Li对GP区的抑制作用,与不含Li合金相比,含Li合金的单级时效硬化效果差。双级时效时,含Li铝合金具有较好的强化硬化效果,这与形成了η′相和T′相有关。
微量Zr对Cu-13Zn合金组织和性能的影响
锆 铜合金 显微组织 力学性能
1999/5/20
制备了Zr含量不同的三种CuZn合金，通过拉伸力学性能测试、金相和电镜观察，研究了微量Zr对合金组织和性能的影响。结果表明，微量Zr对合金有明显的强化和提高退火过程中抗软化温度的作用；微量Zr引起的强化来源于再结晶晶粒细化强化，含Zr的第二相析出强化和亚结构强化3个方面。
W-Cu电子封装材料的气密性
W-Cu合金 电子封装材料 气密性 诱导铜
1999/1/12
分析了传统熔渗法生产的W-Cu材料气密性差的工艺因素，采用加入一定数量的诱导铜的工艺方法进行压型，通过调整成型压力，使生坯中的W含量达到电子封装W-Cu15含钨量的标准，其余的Cu在熔渗时渗入。实验表明，加入1%～2 .5%的诱导铜的生坯在1350℃熔渗1.5h，其气密性可以达到满意的效果.
非同轴取向Cu三晶体及双晶体的循环形变行为比较
Cu三晶体 三晶交点 循环形变 塑性不相容性
1998/7/18
采用逐级增幅方式研究了Cu三晶及双晶试样的循环硬化及饱和行为实验结果表明，对于组元晶粒均为单滑移取向的倾斜晶界双晶试样，其循环应力应变曲线（CSSC）存在平台或准平台区域，而三晶试样的CSSC无平台区出现表面滑移形貌观察表明，由于应变不相容性，在低应变幅下，三晶交点处对各晶粒的主滑移有明显的阻碍作用由于存在较强的晶界几何约束，在相同应变幅下，三晶交点处的形变量较双晶晶界处小同一三晶交点，外载方向不...