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本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生~20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。
日本超大规模集成电路研究组合的若干经验。
由于仿真不收敛等问题,仅依靠EDA仿真很难实现集成电路(IC)稳健性设计.提出了利用响应曲面(RSM)与电路仿真相结合对集成电路进行稳健性优化设计的方法.并将该方法应用于带隙基准电路稳健优化设计.通过Hspice电路仿真与统计试验设计(DOE),仅利用27组试验建立了3目标值、4参数电路的响应曲面模型.并基于该模型对电路进行稳健性设计,优化确定的参数组合满足电路指标,同时对温度的变化更加不敏感. ...
针对目前集成电路具有高度的规律性的特点,提出了一种新的数字集成电路规律性结构提取算法,可自动对电路中一些重复出现的电路结构进行识别和提取.通过对两两相连的标准单元进行特征提取比较并产生二同构子电路,对出现频数较高的二同构子电路进行扩展产生电路结构模板,进而提取所有与该模板相似的电路结构.在算法运行过程中,通过不断地删除已经匹配的顶点,可加快程序运行的速度.该算法已应用于实际工程项目中,改变了传统的...
实现了一种高精度可控白光LED恒流驱动芯片的设计.使用自动调零技术在内部集成了自动调零运算放大器,并采用外接电阻和使能设计控制恒定LED驱动电流,可在2.9 V到4.4 V的工作电压范围内提供3个不同的恒定驱动电流,最大驱动电流可达1 A.测试结果表明,当驱动电流从200 mA变化到800 mA时,外接电阻电流和LED驱动电流之比变化小于2.3%; 电源电压跳变±10%的情况下,800 mA的驱动...
ECL集成电路的四值接口技术     多值逻辑  ECL  接口电路       2009/10/20
本文介绍了适用于多值ECL电路设计的差动电流开关理论。在该理论中,分别用开关变量和四值信号变量来描写ECL电路中差动晶体管对的开关状态和信号,并引入此两类变量之间的联结运算,以描写电路内部开关元件与信号的相互作用过程。基于该理论,本文对两种接口电路——2-4编码器和4-2译码器进行了设计。应用SPICE程序对设计电路的计算机模拟表明,两种电路均具有正确的逻辑功能、理想的DC转移特性和瞬态特性。由于...
本文提出了集成电路最优化中综合考虑成品率极大、最佳容差设计、调整设计和生产效益极大化设计的统计最优化模型(Design Centering,Tolerance and Tuning.简称DCTT模型)。讨论了该模型与广义统计最优化模型的等价性以及其他主要性质。在确定性最优化框架下,该模型为统计最优化和集成电路可制造性设计的进一步发展开辟了新途径。
本文首先给出高速集成电路中多导体均匀互连线传输特性的分析方法和计算公式。再将渐变互连线近似为线宽略有变化的多节均匀线级联,通过网络理论,分析出渐变线的传输特性。计算结果与测量值吻合很好。
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
本文提出了一种电流模式4-bit可调权值模拟神经元电路,权值易存贮而且精度高。该电路可扩展为8-bit等多值分立权的神经元电路.文章扼要分析了神经元电路的工作原理,并用SPICE Ⅱ进行仿真,证明了这种电路的正确性。
This paper explores a variety of different CMOS varactor structures for RF and MMICs. A typical 0.18μm CMOS foundry process was used as the study platform. The varactors' capacitance-voltage character...
本文介绍了应用于彩电CAD系统中的大规模集成电路宏模型的建模方法,并指出这些方法的应用前景和发展方向。
在互连线的建模方面,无论是考虑频变或工艺参数变化还是考虑降解,都需要一个精确的原始模型。它不仅使各种模型简化方法有个精确的起点,而且也是评估各种模型简化方法近似性能的基础。该文用直接闭合式的方法给出了一个计算复杂度为O(N)的精确的超高阶互连线RLGC时域状态空间模型,有3种形式,它是一般互连线树的基本构造元素,也是一种特殊的互连线树。该模型在形式上比文献中给出的更简洁。低阶模型与2000阶模型进...
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。
本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于20ps,空间分辨率不低于3μm。用它检测了砷化镓共面波导内部的微波信号。这套系统将被应用于砷化镓高速集成电路内部特性的在片检测。

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