搜索结果: 46-60 共查到“知识库 半导体器件与技术”相关记录196条 . 查询时间(3.669 秒)
本文用矩量法求解磁场积分方程的方法,计算了导体球,旋转椭球(1∶1∶2)和椭球(1∶2∶3)的若干自然频率。结果表明:自然频率有简并和分裂现象。分析了自然频率的简并,分裂与目标对称性的关系。
双向负阻晶体管动态伏安特性的实验研究
半导体器件 负阻器件 张弛振荡器
2009/11/17
本文研究了双向负阻晶体管(Bidirectional Negative Resistance Transistor,简称BNRT)在张弛振荡电路中的动态伏安特性。借助动态伏安特性对BNRT张弛振荡电路的一些性质进行了分析。实验结果与计算结果一致。本文还对改进器件结构的设计,以便使器件达到更高的振荡频率提供了理论依据。
一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法
半导体工艺 减薄技术 选择阳极氧化
2009/11/17
提出了一种新的非均匀减薄法,即选择阳极氧化法。用于n+-n-n++GaAs高低结雪崩二极管的n+层厚度的控制,使器件的效率达到理论值。
在微型计算机上建立的一个超导体模型系统
计算机应用 超导体 晶胞结构
2009/11/17
本文叙述了新近在微型机IBM-PC上研制的超导体模型系统。它收集了至今所发现的超导材料和相关的化合物,显示和绘制了三维的晶胞结构和配位多面体模型,寻找了超导结构的特征规律,并实现了屏幕网格模块设计。本系统特别适合于高温氧化物超导材料的构效关系的研究,并为寻找新型高温超导材料开辟了可能的途径。
硅基纳米b-SiC量子点列阵的制备
硅基碳化硅量子点 自组织生长
2009/11/11
报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上，其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900℃的氮气氛中退火20 min，使C60分解成活性碳，与周围的硅原子结合生成碳化硅，碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点)，C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅...
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
静电放电 保护电路 反馈
2009/10/21
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路．该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件，同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度，使得保护电路能够及时关闭，避免箝位器件栅极电流保持过长时间，保护了箝位器件的栅极．此外，该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件，节省了电路的成本．
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
半导体界面 阳极氧化 介质薄膜
2009/10/20
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al2O3的介电常数为11～12,Al2O3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在Ec-Ec=0.5eV,其俘获截面约为10-15cm2,Al2O3/InP的界面态密度...
MOSFET中载流子能量输运计算机辅助分析
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 能量输运 数值模拟
2009/10/20
本文提出了能量输运问题的二维MOSFET的数值模拟,其中计入了产生、复合以及载流子的温度梯度对器件特性的影响;还提出了改进的迁移率模型。对微米和亚微米MOSFET样品的模拟结果表明,本文所提出的模型和方法与实验符合得很好。
LB单分子膜中电荷密度的确定
LB单分子膜 C-V方法 电荷密度
2009/10/15
本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C20H40O2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。
基于半导体断路开关的8 MW,10 kHz脉冲发生器
半导体断路开关 磁饱和脉冲变压器 磁开关
2009/9/29
功率器件半导体断路开关具有高重复频率工作能力。采用高速绝缘栅双极晶体管组件作为初级充电回路的主开关，建立了一台工作频率为10 kHz的脉冲发生器。脉冲发生器采用磁饱和脉冲变压器、磁开关及高压脉冲电容器组等固态器件进行两级脉冲压缩，产生小于100 ns的电流脉冲,对半导体断路开关进行泵浦，半导体断路开关反向截断泵浦电流在负载上产生高压脉冲输出。实验装置在电阻负载上得到了脉冲输出功率约为8.6 MW，...
GaAs量子阱的能级分析
GaAs 量子阱 波函数
2009/9/23
通过用Numerov方法求解Schrödinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数——包括阱宽、势垒高度和外加电场的依赖关系。这些结果有助于GaAs/AlGaAs量子阱结构的光电性质研究和器件设计。
利用光触发产生超短电磁脉冲及其应用前景
超短电磁脉冲 半导体光导开关 超快过程测量
2009/9/23
本文对利用超短激光脉冲触发半导体光导开关产生超短电磁脉冲的装置、器件、材料以及应用方面的研究状况进行了介绍。
同型外延材料表面光伏法测试的分析
外延材料 扩散长度 表面光伏法
2009/9/23
本文应用数值计算方法研究了表面光电压是表面非平衡少子浓度的单调函数这一假设对于同型外延材料的可应用性。我们发现这一假设对该材料一般地说并不成立。因此在使用等光伏表面光伏法测试同型外延材料少子扩散长度时一般不应把表面非平衡少子浓度视为常数。在文中,我们也分析了可以把表面非平衡少子浓度作常数处理的条件。
CCD致冷技术在小型光谱仪降噪中的应用
小型光谱仪 半导体致冷技术 CCD
2009/9/22
与传统光谱仪相比，小型光谱仪在性能上存在着较大的差距，光度准确度较差、信噪比低等问题限制了其在弱光检测中的应用。分析小型光谱仪的噪声来源及其抑制方法，结合CCD设计了其致冷结构，并采用半导体致冷技术对自行设计的小型光谱仪进行了降噪处理。测量了不同温度下CCD的暗电流，发现致冷对CCD噪声起到很好的抑制作用；在此基础上，参照分光光度计的国家机械行业标准和计量检定规程，测量了致冷条件下小型光谱仪的光度...