搜索结果: 16-19 共查到“知识库 半导体测试技术”相关记录19条 . 查询时间(3.687 秒)
一种显示N~+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法
N~+-GaAs 缺陷 阳极腐蚀法
2008/9/24
本文描述一种电解液为KOH水溶液的阳极腐蚀法.通过与一些有效的缺陷显示化学腐蚀剂对照,证实此法能显示N~+-GaAs任何取向平面的生长条纹、位错和碟形坑等多种缺陷.这些碟形坑可能与存在于晶体中的层错环有关系.
InGaAs/InP APD探测器光电特性检测
静态光电特性的自动测试系统 雪崩光电二极管 大面积APD 倍增因子
2007/3/31
建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明，该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA，在直径500 mm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法，只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器，就可以获得开始倍增时的光电流，从而得到APD的倍增因子。通过...
再入机动飞行器最优轨迹设计与跟踪
再入 轨迹优化 Gauss伪谱 轨迹线性化控制
2005/9/29
提出了一种再入机动飞行器（maneuvering reentry vehicle, MRV）的最优制导与控制方案。针对MRV再入机动轨迹优化问题，提出了新的基于Gauss伪谱优化方法的分段优化策略；由产生的最优参考轨迹，生成系统的外环最优制导指令。接着利用轨迹线性化控制（trajectory linearization control, TLC）方法设计系统的内环控制律。基于MRV完整的非线性六自...
Multiple Dose He Ion Implantation into n-GaN for Electrical Isolation
He Ion n-GaN Electrical Isolation
2004/3/21
In this work, Wurtzite GaN films were implanted with 15KeV, 55KeV and 150KeV He ion respectively with various doses at room temperature. One of the groups of samples were annealed at 750 0C for 20 min...