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提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率。该结构使用chartered 0.35 µm CMOS工艺进行流片验证,实测结果...
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1 200 ℃,生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...
诺发系统(Novellus)日前宣布开发出一套全新先进的铜阻障底层物理气相沉积(PVD)制程,其将用于新兴的贯穿硅晶圆通路(TSV)封装市场,该制程使用诺发INOVA平台,并搭配特有的中空阴极电磁管(HCM)技术制造出高贴附性的铜底层。
尝试了一种低成本的三维微电极阵列微加工的新方法。玻璃划片形成的柱状阵列,经掩膜腐蚀后形成阳模板,再利用PDMS的微复制技术形成阴模板。利用阴模板进行电镀,可以得到三维微电极阵列。制作的铜电极阵列高度约180m,为制作更长的神经微电极阵列打下了基础。
对于MEMS振动陀螺来说,找到一个快速有效的方法来评估其结构参数是非常重要的,比如谐振频率和阻尼系数,应根据微机械陀螺设计和制作的不同阶段,从测试精度、测试速度和试验方便程度等方面考虑,采用不同的方法进行动态试验。本文给出了一种能够判断MEMS器件振动特性的可靠的电测试系统,并通过分析和实验比较了几种微机械陀螺振动系统传递函数的快速测定方法,分析讨论了微机械陀螺振动系统测试方法和数据处理等问题。
体硅MEMS和CMOS电路的单片集成技术是提高传感器性能的有效途径,但是集成技术会对陀螺的设计和CMOS电路的设计提出更高的要求。本文通过建立CMOS-MEMS体硅陀螺的等效电学模型,实现了对CMOS-MEMS体硅陀螺的系统级仿真。通过系统仿真,陀螺的结构部分、电路部分、集成产生的寄生效应以及工艺误差得到了有效的分析,从而能够了解它们相互之间的影响,更好的指导CMOS-MEMS体硅集成器件的设计。
以一个电容式微加速度计为设计实例来介绍了基于IP库MEMS设计的流程,其中主要包括四个部分:原理分析,结构设计,工艺流程和版图设计,封装及电路测试。首先根据需求设计出加速度计的基本结构;然后对该结构进行工艺流程和版图的设计;并利用虚拟工艺来进行仿真和可加工性验证;得到的三维结构通过接口导出到FEM中进行数值分析;接着将数值分析的结果进行基于FEM的运动学建模;求解得到的运动规律,以宏模型的形式存入...
提出了一种新型的基于体硅工艺的双轴加速度传感器,量程为±50g,采用全对称结构,其电容检测部分采用变面积、差分电容式的梳状电极结构。利用有限元分析软件分析得到本文所设计的双轴加速度传感器微结构整体质量为1.174mg,X、Y轴的灵敏度皆为2.3fF/g,模态分析结果表明,第一和第二模态振型为两敏感方向的振型,且谐振频率分别为2774Hz,2775Hz。经过MEMS加工工艺制作出的芯片尺寸为5260...
利用MEMS微电镀工艺技术制作了一种新型的适用于RF MEMS能量耦合传输的高Q值电感,采用ANSOFT公司的HFSS优化平面螺旋电感的结构。在具有高电阻率的玻璃衬底上溅射0.5um的铜层作为下电极;PECVD淀积厚度为1umSiO2 作为中间介质层;在介质层上结合厚胶光刻技术电镀厚为22um的铜作为电感线圈。这套电感制作工艺流程简单、易于与IC制备工艺集成。本文制备的微机械电感在微型植入系统中具...
研究了一种抽取版图信息构建系统级模型的技术,即从标准版图文件中提取结构的几何信息和拓扑信息,将其转换对应于系统级中的参数化元件库,并按原始版图拓扑互连,从而生成基于saber仿真平台的系统级模型文件,实现了MEMS工艺级到系统级的数据传递,使用C++编程语言开发了相应的转换接口。通过典型器件——微加速度计和微变形镜的多种结构验证了转换方法的可行性。
MEMS射流角速率传感器的工作原理是当有外加角速度时,腔内射流发生偏转,此时腔内产生的不对称温度分布通过微悬空铂丝输出一个差分电压信号。由于器件中的气流在工作平面上作循环运动,这样器件的性能强烈依赖于悬空热敏检测丝的对称性和平整度。本文考察了不同退火条件对SiC支撑层内应力的影响,结果发现在450°C退火半小时的条件下产生低的张应力SiC,既满足了平整性要求又能很好地保护其下的玻璃衬底。本文还研究...
本文模拟并设计了一种基于表面微机械加工的平面MEM电感,提出了它的等效电路模型并给出模型中参数的提取方法。由模拟结果验证了该等效电路具有较高的精度,误差在8%以内。设计的一个3.6nH的平面MEM电感的品质因数超过20,自谐振频率超过15GHz。由平面MEM电感构成的5阶LC低通滤波器的-3dB带宽为3.7GHz,0~3GHz内的插入损耗低于1dB。
提出了一种基于介质上电润湿(EWOD)的新型液体变焦透镜结构并研制出样机。它由一个依次覆盖有氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜及疏水介质膜的玻璃下极板、悬浮于其上方的一个中空金属环、以及作为透镜的去离子水滴组成。通过改变施加于ITO电极与金属环之间的电压大小,就能调控水滴的曲率,从而实现对透镜焦距的调节。实验结果表明,在0-40V电压范围内,该透镜样机的焦距调节范围为8.51mm至55.9mm,可实现...
本文设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RF MEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31...
介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10GHz)的问题。其插入损耗为-0.88dB...

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