搜索结果: 106-120 共查到“知识库 绝缘技术”相关记录153条 . 查询时间(4.531 秒)
应用小波变换与数学形态学相融合的方法对含有强噪声的局部放电信号进行消噪，并与小波变换的阈值法进行了比较，发现该方法能更有效地消除局部放电信号的噪声，同时能很好地保留原信号特征。采用多尺度数学形态学开运算提取消噪后的局部放电信号数学形态谱，通过形态谱的提取可看出每种放电类型具有不同的形态特征，为放电类型的识别打下基础。
轴向绝缘大面积二极管的研制
KrF准分子激光器 轴向绝缘大面积二极管 电子束
2008/3/9
摘要:介绍了撎旃庖缓艛主放大器中的轴向绝缘大面积二极管的设计、机械结构及其特性的实验研究。结果表明, 二极管能稳定的工作在峰值电压600kV以上，电流密度能够达到80 A/cm2，脉宽（FWHM）220ns，电子束总束能超过25kJ。
重复率气体火花开关绝缘恢复特性的实验研究
气体火花开关 重复率 绝缘恢复 双脉冲回路
2008/3/9
摘要:在自行设计的气体火花开关上，利用双脉冲回路，对纳秒脉冲作用下N2和H2的绝缘恢复特性进行了实验研究。结果表明，在静态不吹气情况下，H2的绝缘恢复时间明显比N2短。在吹气情况下，适当的气流速度即可使绝缘恢复时间明显缩短。
直流电压下复合绝缘子的自然积污试验
直流复合绝缘子 自然积污 等值附盐密度
2008/3/9
摘要利用自建的自然污秽试验站，对自然条件下带直流电压运行2个积污季节的复合绝缘子的积污特点进行了试验研究，分析了直流绝缘子的伞裙表面积污规律、降水对积污(等值附盐密度(equivalent salt deposit density，ESDD)和不溶性污秽物质密度(non-soluble deposit density，NSDD))的影响，表面污秽不均匀度、表面灰盐比、ESDD和NSDD的直交比等。...
在役支柱瓷绝缘子的超声检测有效性研究
瓷绝缘子 超声波 有效性
2008/3/9
超声检测的结果依赖于试块与实际检测对象的吻合程
度。为了提高运行中支柱瓷绝缘子检测的有效性和可靠性，
结合支柱瓷绝缘子的瓷柱表面特征、以及产生的缺陷状况，
设计制作了含有不同缺陷的系列模拟试块，并用研制的不同
频率、不同折射角的小角度纵波探头和爬波探头对其进行测
试研究。试验结果表明，小角度纵波探头对瓷柱内部缺陷有
很好的检测灵敏度，而检测表面小裂纹时会受到瓷柱表面瓷
砂的严重干扰；...
室温硫化硅橡胶涂料（RTV涂料）可以有效防止污闪事故，已在我国电力系统中广泛应用。文中通过取得大量在天津挂网运行多年老化的RTV涂料绝缘子，在对其表面憎水性和积污状况研究的基础上，进行了两种状态下试品防污闪能力测试，结果表明试品仍具有良好的防污闪能力。通过绝缘子试品表面涂层的红外分析对比，讨论了线路周边污染源环境对RTV涂层的不同影响。针对RTV涂料国内比较保守的寿命定义，通过热重分析，引入胶含量...
圆锥磁绝缘传输线的横向空间电荷流
圆锥 磁绝缘传输线 横向空间电荷流 磁绝缘临界条件
2008/3/9
摘要:根据电磁场基本理论及电子运动守恒方程，导出圆锥传输线横向空间电荷流的数值模型和磁绝缘临界条件。通过数值计算，讨论了电压及圆锥几何结构参数等对横向空间电荷流和磁绝缘性能的影响。电压较高时,无磁场的空间电荷流较大，而磁绝缘性能更好。在传输线的三个几何参数中，几何因子对传输性能影响最大。
摘要:根据电磁场理论及电子运动守恒方程导出圆柱和平板传输线横向空间电荷流的数值模型和磁绝缘临界条件。通过数值计算，给出了传输线的几何结构参数和电压分别与空间电荷流的关系。
摘要超高频局部放电在线实时监控系统可预防气体绝缘金属封闭开关设备(gas insulated switchgear，GIS)发生灾难性故障。介绍了超高频局部放电实时监视系统的基本结构、局部放电试验情况，并给出了该系统在韩国应用的2个实例，该系统的数据库储存了实验室条件下的各种超高频局部放电数据和现场实际运行中的局部放电信号，安装该监控系统后，非专业人员也可判断GIS的状态。
人工污秽下盐/灰密对普通悬式绝缘子串交流闪络特性的影响
绝缘子串 等值附盐密度 灰密 交流闪络电压
2008/3/9
污闪是电力系统的严重自然灾害之一，国内外对盐密
(ESDD)的影响进行了大量的研究，但对灰密(NSDD)影响的研究较少。文中以7片串普通悬式绝缘子XP-160 为试品，在
人工雾室中进行了大量的人工污秽试验，分析了ESDD 和
NSDD 的变化对人工污秽绝缘子交流闪络电压的影响。试验
结果表明：在人工污秽试验中，ESDD和NSDD均对绝缘子
交流闪络电压有影响，与ESDD对人工污秽绝缘子...
两种不同染污方式下绝缘子交流闪络特性的比较
电力系统 污秽绝缘子 染污方式 闪络特性
2008/3/9
染污绝缘子在雾、露等不利气象条件下，将可能发生
绝缘子的污秽闪络，并且随着工农业生产的迅速发展，污秽
程度的日益加剧，电力系统的污闪事故发生更加频繁，危害
更加严重。IEC及我国推荐了几种不同的人工污秽方式以进
行绝缘子闪络特性的试验研究，但对于各种人工污秽方式之
间的差异并没有给予说明和研究。文中以XP-70 绝缘子为例对浸污法、定量涂刷法两种不同的染污方式下绝缘子交流
闪络特性进行...
绝缘子内部放电声发射研究
绝缘子 内部放电 声发射 量纲分析
2008/3/9
为了研究绝缘子放电声发射检测中不同放电形式的声
发射识别问题，系统地研究绝缘子内部放电声发射现象。在
大量试验基础上，总结绝缘子内部放电声发射波的共有特征:
绝缘子内部放电声发射波具有简单的周期性，正半周和负半
周内之间的信号不对称决定于气隙的特征线尺度D。随传感
器的安放位置变化，接收到信号的外形从箭头状向蛋状变
化；引入量纲分析理论，研究了气体的初始密度、压力、放
电能量、气隙的...
绝缘栅双极晶体管固体开关技术研究
串联 IGBT 固体开关
2008/3/9
摘要:采用二只1.2kV,75A的绝缘栅双极晶体管（IGBT）串联，对用于加速器的IGBT固体开关技术进行了研究；通过采取动态电压和静态电压平衡措施来解决IGBT串联中的瞬态电压平衡问题。在不同工作条件下，串联IGBT开关工作性能稳定，重复性好。在纯阻性负载上得到了上升时间约300ns、下降时间约164μs、峰值电压1.8kV的输出。
绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制
测量装置 绝缘体 二次电子发射系数 氧化镁
2008/3/9
摘要:成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0.8~60 keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0.8~45 keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极(偏置盒)离材料表面设置为约35 mm，偏置电压设置为 45 V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约...