搜索结果: 76-90 共查到“知识库 绝缘技术”相关记录153条 . 查询时间(2.281 秒)
系统采用了国内外较为先进的在线监测理论和实施技术方案，利用单片机及微电子技术作为检测单元，采用高精度传感器进行信号检测，并通过电缆送入装置，最后利用微机作为系统主机进行系统集成并对数据进行分析整理，建立数据库，帮助试验检修人员合理分析判断设备运行状况，以利于综合检修的实施。该系统的测试功能为：在线检测系母线电压；电容性试品的总泄漏电流、介质损耗及电容量；不带末屏接地的电流互感器以及电压互感受器的一...
全自动电话线绝缘芯线生产线计算机实时检控系统
芯线电话线 检控系统
2008/11/10
该系统将工业控制计算机通过多种类型的接口（RS-232\RS485\RS422）并以网络结构与控制单元及测量单元相连；实现对生产线数据的实时采集、显示、打印、存储，将整个生产线流程动态、形象地展示给操作人员；利用操作面板实现与操作人员的良好人机接口，便于生产线操作人员操作和控制。该系统将5920调速器以网络形式连接，节约了材料，提高了使用效率；实时记录了生产参数和工接口连接打印机，降低系统对打印...
熔锌工频电炉（有芯）感应器的绝缘干式填料及不停炉更换感应器对接技术
不停炉 更换感应器 对接技术
2008/11/10
该成果是一种柔性、散状完全没有液体加入的绝缘、保温干式填充料，有效的克服了“三大难点”尤其是结合与合作单位联合开发的不停炉更换感应器对接技术，实现了几代冶金工作者梦寐以求的有芯工频电炉结构的二大变化，使熔锌有芯工频电炉不停炉检修成为可能。该成果在提高炉体寿命，简化筑炉操作，缩短施工时间，提高安全可靠性方面取得了明显的经济效益，属国内首创属国内领先水平。
新型绝缘栅场效应晶体管
晶体管 绝缘栅场效应
2008/11/10
本成果属于半导体导体器件技术领域，选用具有高介电常数材料钛酸铋或钛酸铋/二氧化硅复合层或钛酸铋/氧化镁复合层代替传统的二氧化硅作绝缘栅，可降低夹断电压（或开启电压），提高场效应管的跨导，提高耐击穿性能，从而大大提高器件性能和成品率。产生巨大的经济效益。Bi2Ti2O7高介电薄膜和新型绝缘栅场效应器件可广泛应用于各种电子线路、器件和大规模集成电路，高密度存储器，计算机，通信等领域，具有良好的产业化...
悬式直流绝缘子钢脚质量超声无损评价装置
评价装置 悬式直流绝缘子
2008/11/10
悬式直流绝缘子钢脚是超高压直接输电线路的关键部件。它的服役环境恶劣、腐蚀严重。目前，通常采用在钢脚上浇注金属锌环作为牺牲电极，以解决钢脚腐蚀的问题。锌环内部缺陷的性质，组织均匀性及钢芯——锌环的复合质量均对钢脚的防腐性能产生影响。有关该部件的无损检测技术和装置的开发与应用，十分急需，国内尚未报道。
选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
绝缘体源 漏场效应 晶体管 外延法
2008/11/10
该发明专利是一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管(MOSFET)的制造方法，属于微电子技术领域。其特征为：采用选择外延法在常规SOIMOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到顶层硅和埋氧的刻蚀；在沟道区域选择外延单晶硅；化学机械抛光平坦化；常规CMOS工艺完成器件的制造等工艺步骤。采用该方法制造的源漏的绝缘体上的晶体，具有埋氧和体硅之间界面陡峭，缺陷少等优点，保证了器...
一种绝缘子钢脚与铸锌环结合面无损检测方法
铸锌环结合面 绝缘子钢脚
2008/11/10
本发明涉及电力行业电瓷绝缘子钢脚的无损检测技术领域，特别涉及绝缘子钢脚与铸锌环结合面质量的无损检测方法。其技术特征是待测工件和超声探头保持一定距离和位向，超声波经耦合介质在铸锌环内发生波型转换并保证只有折射横波向前传播，折射横波声束经结合面反射后进入接受探头，电机驱动钢脚转动规定弧度，线聚焦声束检测全部结合面；探伤仪输出同步脉冲和失波、进波报警信号；控制和计数电路同步记录检测过程的同步脉冲总数和失...
以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
氮化铝 绝缘体 上硅
2008/11/10
本发明属于微电子学与固体电子学中半导体材料的制造工艺，进一步说是一种以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料制备方法。绝缘体上的硅即SOI（SilicononInsulator）电路具有高速、低功耗、抗辐射等优点，在航空航天、军工电子、便携式通讯系统等方面具有重要应用背景，被认为是二十一世纪的硅集成电路技术，倍受人们重视。目前的SOI材料均采用SiO_2作为绝缘埋层。由于SiO_2导热性能差，在很大程...
用于产生大面积强流脉冲离子束的外磁绝缘离子二极管
二极管 绝缘离子
2008/11/10
等离子体/离子工程学领域中，用于产生大面积强流脉冲离子束的外磁绝缘离子二极管，包括镶嵌聚乙烯薄膜[4]的阳极[1]、设有均布通透栅格[15]的阴极[12]，特征：阳极和阴极均设计为椭圆扇环形柱状结构，阳极内柱面[22]与阴极内薄板外柱面[26]间间隙[3]的窄端[5]为4.1～4.8mm，宽端[2]为5.1～6mm，聚乙烯薄膜的面积为230×100～260×200mm2，均布通透栅格的数量为108...
有机复合金属氧化物避雷器用纤维缠绕电绝缘套筒
绝缘套筒 有机复合金属
2008/11/10
本研究成果可以应用在35kV~220kV高电压输变电线路用有机复合氧化金属物避雷器中，可以从根本上解决电瓷避雷器污闪、湿闪问题。综合性能指标达到当前国内领先水平。
有机复合绝缘子用耐酸性拉挤电绝缘芯棒
绝缘子 绝缘芯棒 乙烯酯树脂
2008/11/10
该项目采用了一类含有共轭双键的羧酸对环氧树脂进行改性，形成两端含有双键的乙烯酯树脂。经过力学、电气、耐热和耐酸性能试验，性能指标达到或超过IEC1109-92标准；拉伸强度≥600MPa，层间剪切强度≥55MPa，泄漏电流≤1mA，工频击穿电压≥50kV/cm，全波冲击电压≥95kV/cm，温度指数≥150℃，高温弯曲强度（150℃）≥300MPa，耐酸性能（1N HNO3）＞96h。该耐酸性介质...
在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法
多模干涉型 光耦合器 绝缘层硅材料
2008/11/10
本发明设计一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法，属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料，利用硅在各向异性腐蚀液中的性质，提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件，多模波导区为矩形波导，侧壁绝对垂直且波导侧壁非常平整，多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。
直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
单晶生长技术 绝缘砷化镓
2008/11/10
成果一：半导体材料内应力的测试方法重大成果简介：半导体材料内应力的测试方法——投射偏振差分谱法是由反射偏振差分谱法演变而来：用小于测试材料禁带宽度光子能量的线偏振激光光源以特定方向近垂直入射并穿过测试材料，利用光弹性调制器结合检偏器对投射激光的偏振状态进行检测，可以在不旋转样品和任何光学元件的条件下，测量出测试材料表面上相互垂直的两个方向上的光强透射比率差，再结合弹光原理，最终计算出材料内部残余应...
纸绝缘热粘合半硬缩醛漆包换位导线
换位导线 半硬缩醛漆耐热漆 包线纸
2008/11/10
随着世界工业的迅猛发展，特别是能源工业和电力事业的飞速进步，对输配电的要求也不断提高，大型电力变压器的电压等级也由匝间绝缘强度的大大增加，而迅速提高为实现变压器行业更新换代的目标，纸绝缘热粘合半硬缩醛漆包换位导线愈来愈被变压器行业认可。纸绝缘热粘合半硬缩醛漆包换位导线是国际上九十年代的产物，与普通换位导线相比，更具有优良的机械性能和热粘合性能等特点。通过选用优质无氧铜杆，科学地设计涂漆膜有效地制定...
准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
绝缘体 硅场效应 晶体管
2008/11/10
该发明提出了一种准绝缘体上的硅（SOI）金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是：在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子；在器件沟道区光刻生成掩模；在源漏区第二次注入离子，使源漏区注入的总剂量达到最优剂量；高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧，沟道区下方形成非连续的埋氧；常...