搜索结果: 121-135 共查到“知识库 非晶、微晶金属材料”相关记录150条 . 查询时间(1.531 秒)
文章摘要：
系统研究了循环形变铜单晶体中宏观形变带的产生规律和特征及相应的位错结构,并对其形成机制进行了综合探讨. 结果表明,在不同取向铜单晶体的循环形变中,形变带DBI近似沿主滑移面(111)发展,而DBII的惯习面接近传统的扭折面{101},两者成严格的正交分布.这两类形变带的形成可能与循环加载中产生的晶体不可逆旋转密切相关. 此外,有利的宏观应力状态也...
对向靶溅射制备CN膜的键态
对向靶溅射 CN膜 键态
2007/10/26
文章摘要：
使用对向靶溅射系统制备CN膜. 研究了膜的结构和C与N之间的键态. 膜为非晶结构,N/C随N2分压增大而增大,N与C的键合优先形成N-sp2C,N-sp3C的含量随N/C上升而增大. N含量进一步增大时,出现新的键态,N-sp3C含量下降.
非晶态铁电薄膜的铁电相转变
铁电薄膜 PLD SBT
2007/10/26
文章摘要：
用ArF脉冲激光在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上合成了非晶态SrBi2Ta2O9铁电薄膜, 研究了铁电相转变. 采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态SBT薄膜发生铁电相转变.
固液界面与单晶连铸表面质量
金属单晶 连续铸造 固液界面 表面质量
2007/10/26
文章摘要：
本文研究固液界面对单晶连铸造表面质量的影响, 结果表明, 形成中心向液体中凸出形状的固液界面, 且保证铸锭表面在离开铸型之后自由凝固是获得高的表面质量的必要条件. 铸锭中心凝固点与铸造型出口的最大距离, 取决于固液界面张力及液体的密度. 单晶铝铸锭表面凝固点与铸型出品的最大距离应控制在2mm范围内, 这一分析结果与试验结果吻合很好.
低温生长的ZnO单晶薄膜的结构和性能
电子束反应蒸镀 单晶ZnO薄膜 玻璃衬底
2007/10/26
文章摘要：
采用电子束反应蒸镀方法在玻璃衬底上在低温下外延生长了沿c--轴高度取向的单晶ZnO薄膜. 研究了衬底温度及反应气氛中的O2对薄膜结构的影响,结合荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)研究了玻璃上ZnO薄膜的光学跃迁特性.在325℃下获得的单晶薄膜(002)晶面的X射线衍射峰强度最大且线宽最窄(0.28º).反应气氛中的O2对ZnO薄膜...
致密非晶碳氢薄膜的结构
非晶碳膜 网络结构
2007/10/26
文章摘要：
利用完全抑制网络结构(FCN)模拟计算氢化非晶碳(a--C:H)膜的组成. 形成致密a--C:H膜的条件是H、sp2C和sp3C应在其三元相图中的一个三角形区域内. 实验数据表明,模拟结果与实验结果吻合得很好. 在a--C:H中存在氢、四面体碳、乙烯、苯环和双苯等结构,
它们的相对含量在三角形区域内变化. 该理论模拟对薄膜光学间隙的实验分析给出了...
掺Ce稀土铁石榴石单晶的制备及磁光性能
晶体生长 掺Ce石榴石单晶 磁光性能
2007/10/26
文章摘要：
采用改进的助熔剂法生长块状Ce:YIG单晶, 分析了它的晶体结构, 测试了在近红外波段的磁光性能. Ce3+掺入铁石榴石十二面体位极大地增强了材料的法拉第旋转, 在λ=0.78μm时, Y3Fe5O12晶体中每一个Ce3+替代Y3+, 其θF的增加量(dθF/dx)达到0.6×104 deg/cm,比同量Bi3+替代时晶体θF的增加量高2倍.在稀...
单晶Si中(11(-1)0)面沿[112(-1)]方向裂纹的脆韧性转变
Si单晶 脆韧性转变 裂纹 滑移面
2007/10/26
文章摘要：
利用改进压轮法预制出与以往不同的(11(-1)0)面[[112(-1)]方向的平直裂纹.采用三点弯曲法测定裂纹临界应力强度因子Kc,用扫描电镜分析裂纹面断口的形貌, 研究了硅单晶中的脆韧性转变(BDT)行为.结果表明, 随着加载速率从4μm/s增加到16μm/s,脆韧性转变温度向高温方向移动, 转变区间由35K减至狭小的8K,在这一区间内临界应力...
用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性
永磁场直拉(PMCZ)炉 热对流 氧杂质
2007/10/26
文章摘要：
用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅.在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏. 在用PMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好. 简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理.
文章摘要：
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入, 采用不同的热场,通过最优化方法, 得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使熔体的纵向温度梯度下降, 热对流减小, 硅单晶中氧含量降低.
文章摘要：
用Laue衍射法结合XRD衍射曲线将用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶定向，取(001)晶片研究材料的电学性能。结果表明，材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象，随着测试频率的升高，介电常数的峰值温度出现反常，峰的位置向低温方向移动。用扫描电子显微镜和正交偏光显微镜研究...
轴向磁场对硅单晶Czochralski生长过程的影响
材料科学基础学科 全局分析 有限元方法
2007/10/26
文章摘要：
利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流, 熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定, 模拟磁场强度范围为(0~0.3)T, 研究了用Czochralski(Cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明: 轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内...
非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为
Ag11In12Te26Sb51 透过率 激光致相变
2007/10/26
文章摘要：
采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶，利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为。结果表明，非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210?C，熔化温度为481.7?C，结晶活化能Ea=2.07ev/atom；Ag11In12Te26Sb51膜的结晶动...
非晶ZrO2-SiO2系薄膜及微细图形的制备
溶胶-凝胶法 氧化锆-氧化硅薄膜 化学修饰
2007/10/26
文章摘要：
采用溶胶-凝胶与化学修饰相结合的方法制备了ZrO2-SiO2系薄膜，研究了这种凝胶薄膜的FT-IR光谱特性及紫外线照射时的变化，发现在1600~1400 cm-1之间有一些与含锆螯合物相关的峰，这些峰值随紫外线照射而减弱，表明这些螯合物发生分解，薄膜在乙醇中的溶解能力也发生变化。紫外光通过掩膜照射凝胶薄膜，用有机溶剂的溶洗后，得到凝胶薄膜的微细图...