搜索结果: 76-90 共查到“知识库 陶瓷学”相关记录216条 . 查询时间(4.369 秒)
高压烧结AlN陶瓷的微观结构和残余应力
无机非金属材料 AlN陶瓷 高压烧结
2009/2/19
在5.0 GPa、1300-1800℃条件下不使用烧结助剂高压烧结制备了AlN陶瓷,
研究了烧结温度和烧结时间对AlN高压烧结体微观结构和残余应力的影响. 结果表明:
高压烧结制备AlN陶瓷能有效地降低烧结温度和缩短烧结时间,
在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;
将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;
在5.0...
铬掺杂钛酸锶钡陶瓷的介电调谐性能
钛酸锶钡 铬掺杂 介电损耗
2009/2/18
研究了Cr掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)陶瓷的介电及其可调性能的影响.结果表明,少量的Cr可进入BST品格形成固溶体,并促进晶粒生长.当Cr掺杂量(摩尔分数)低于1.0%时,陶瓷的介电损耗急剧降低,调谐率明显提高,综合性能显著改善,其中Cr掺杂0.6%的BST陶瓷具有最佳的综合性能,其在1MHz下的介电损耗为0.0005,品质因子(FoM)达到500,而未掺杂样品的FoM值...
新型SiC复合陶瓷的耐冲蚀性能
SiC复合陶瓷 耐冲蚀性能 冲蚀率
2009/2/6
研究了新型SiC复合陶瓷的冲蚀行为,并与45碳钢、铸钢和Al2O3陶瓷进行了比较.结果表明:45碳钢、铸钢和冲蚀率大都在0.13～0.26 mg/g范围内随着攻角变化,最大值分别出现在15°、30°、90°攻角,具有典型韧、脆性材料的特点;新型SiC复合陶瓷的抗冲蚀性能优越,特别是其冲蚀率几乎不随攻角变化(冲蚀率大约为0.025 mg/g,速度影响因子为1.3～1.8).新型SiC复合陶瓷中软硬相...
纳米颗粒复相陶瓷界面电子结构研究及界面设计（图）
纳米颗粒 复相陶瓷界面 电子结构
2009/2/2
借鉴金属材料理论设计的研究思路，利用计算机和近代实验分析技术，从电子结构层次上，就纳米复相陶瓷的界面微观结构和界面电子结构变化对其性能的影响，进行了系统深入的研究，在理论成果指导下，进而探索了ZrO2-Al2O3、Fe-Al 金属间化合物Al2O3 陶瓷复相材料的设计和制备。
活塞顶部功能梯度涂层的有限元模拟热分析
内燃机 活塞 功能梯度涂层
2009/1/16
采用ANSYS10.0有限元分析软件，取内燃机活塞的第三类边界条件，采用先热分析再结构分析的间接分析方法，模拟了陶瓷/金属梯度涂层的圆柱体在稳态工作情况下的温度及其热应力的分布情况；考察了梯度组成分布函数指数p对活塞头部的温度场影响，以及对陶瓷/金属梯度涂层热应力的影响，得到了缓和热应力的梯度组成分布函数指数p=0.6的优化设计结果。
高品质铬氧化铝陶瓷材料制品
氧化铝陶瓷 瓷环 陶瓷制品
2008/12/18
产品功能及应用领域：产品具高强度、高热导率，耐磨，质地轻，低摩擦系数，耐温度急变性好，表面光滑，色泽均匀光亮、美观等功能。氧化铝瓷环用于高级钓竿上的过护线装置，氧化铝刹车片和氧化铝陶瓷导线销用于高级渔线轮中的刹车系统和导线系统。产品主要技术性能指标：表面光滑，色泽均匀光亮，表面粗糙度Ra≤0.4μm；滑动摩擦系数≤0.04；维氏硬度HV≥1200；热导率≥10W/m.K；体积密度≤4g/cm^3；...
燃烧合成Cr-（Al, Cr）2O3金属陶瓷的耐磨性能
金属陶瓷 摩擦性能 燃烧合成 相组成
2008/12/5
用热爆燃烧合成法结合熔体施压致密化, 制备了相对密度约90%的Cr-(Al, Cr)2O3金属陶瓷, 金属Cr颗粒均匀弥散分布于陶瓷板片间或板片内, 尺寸可达200 nm左右. 研究了金属陶瓷的耐磨性能. 结果表明, 干摩擦条件下, 金属陶瓷具有优良的耐磨性能; 磨损体积与稀释剂Al2O3加入量和过量Cr2O3的含量有关, 两者合理搭配可使Cr-(Al, Cr)2O3的磨损体积小于粉末烧结氧化铝陶...
采用座滴法研究了Ｃｕ－Ｎｉ－（２７－５６）Ｔｉ合金（原子分数, ％, 下同）在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷上的润湿行为. 选用真空熔炼合金Ｃｕ３８Ｎｉ３０Ｔｉ３２和Ｃｕ３４Ｎｉ２７Ｔｉ３９作为钎料时, 获得的Ｓｉ３Ｎ４／Ｓｉ３Ｎ４接头的强度不理想.
反应热压法制备TiB2／AlN复合陶瓷
反应热压 硼化钛 氮化铝 复合陶瓷
2008/11/18
本文报道了以ＴｉＮ, Ａｌ和ＢＮ为原料通过反应热压法制备ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷实验结果, 对该反应的热力学过程, 产物的物相, 微观结构与形貌进行了研究与讨论, 结果表明, 原料在８００℃左右开始反应, 随着温度的升高反应越完全, １７００℃左右完全反应, 通过ＳＥＭ观察发现, 生成的ＴｉＢ２／ＡｌＮ复合陶瓷具有很高的致密度, 晶粒尺寸细小且分布均匀, 通过反应得到的ＡｌＮ晶粒具有大量的层状和孪...
陶瓷间约束金属薄层中孔洞间的屏蔽效应及破坏机理
金属薄层 陶瓷材料 破坏机理 孔洞
2008/11/14
通过体胞分析方法, 对处于陶瓷间约束金属薄层中和陶瓷／金属界面上的孔洞间的相互作用进行了大变形弹塑性有限元分析. 计算结果表明：（１）较软的约束层中的孔洞对界面的长大具有屏蔽作用, 当约束层中孔洞与界面上孔洞的大小相差不大时, 约束金属薄层中的孔洞对界面上的孔洞具有较强的屏蔽作用, 破坏一般起始于约束层中；当支中孔洞较界面孔洞小得多时, 它对界面上孔洞的屏蔽作用减弱, 界面上的孔洞长大较快.
ZrO2-6Y2O3陶瓷中的类L12与L10有序结构
偏聚 有序结构 陶瓷 二氧化锆
2008/11/12
采用高分辨电子显微术、能量散射Ｘ射线谱及计算机模拟的方法, 研究了烧结态时时效后的ＺｒＯ２－６Ｙ２Ｏ３陶瓷哪现的分别具有类Ｌ１２与类Ｌ１０有序结构的Ｙ０．２６Ｚｒ０．７５Ｏ２－ｘ与Ｙ０．５Ｚｒ０．５Ｏ２－ｙ相.
活性金属部分瞬间液相连接氮化硅陶瓷的研究
活性金属 氮化硅 连接强度
2008/11/10
采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273 K温度下进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接, 考察了保温时间对连接强度的影响, 并对连接界面进行了SEM, EPMA和XRD分析.
采用座滴法研究了Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｒ-（１４－２９）Ｔｉ（质量分数, ％, 下同）, 合金在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷上的润湿行为, 结果表明, 在１４９３Ｋ, １０ｍｉｎ的真空加热条件下, 随着含Ｔｉ量的增加, 合金的润湿性逐渐改善, 含Ｔｉ量为２４％－２９％时合金的润湿角达到２７．３°, 微观分析表明, 钎料中的元素Ｃｒ向Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｒ-（２４－２９）Ｔｉ／Ｓｉ３Ｎ４界面区扩散和富集, 生成了复杂的Ｃｒ-Ｎ...