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搜索结果: 1-15 共查到人物 半导体器件与技术相关记录20条 . 查询时间(3.247 秒)
萨支唐(Chihtang Sah),美国微电子学家。生于中国北京。50年代初毕业于美国伊利诺大学,1954年、1956年分别获美国斯坦福大学硕士、博士学位。1959-1964年先后任美国仙童半导体公司高级成员、物理部主任经理,1964-1968年任美国伊利诺大学教授。1988年至今,担任美国佛罗里达大学电机和电子工程系教授、工学院首席科学家。美国国家工程院院士(1986),台湾“中研院”院士(19...
天野教授现任名古屋大学未来材料与系统研究所教授。他当选为日本工程院院士(2015)、美国工程院院士(2016)。任LEDIA国际会议主席(2012-今)、化合物半导体国际会议地区技术主席(2013-今)。
卡马勒·托克达尔汗,女,哈萨克族,中共党员,工学博士,副教授,硕士研究生导师。2014年3月博士毕业于东京工业大学,2014年4月至2015年7月在日本东芝集团锂电池研究组从事了研究工作,2015年9月以来在新疆大学物理科学与技术学院从事教学科研工作,主要研究方向为半导体物理与器件,重点研究高k栅介质/金属栅MOS器件中的关键问题。近年来主持国家自然科学基金一项、新疆维吾尔自治区自然科学基金项目一...
蔡月飞博士于2022年7月加入南方科技大学电子与电气工程系,主要从事宽禁带半导体的研究,包括氮化镓电子器件和光电子器件的设计、制备、表征和集成。目前已在化合物半导体领域的顶级国际会议IWN,ICNS和CSW上做口头报告3次,在ACS Nano, ACS Photonics, IEEE EDL, APL等高水平期刊上发表论文20余篇,其成果得到了国际知名科技媒体IEEE spectrum, Semi...
汪青博士,南方科技大学深港微电子学院研究副教授、博士生导师,兼任学院党支部书记,深圳市高层次人才,先后主持或主研了国家自然科学青年科学基金项目、中国博士后科学基金面上项目、“十三五”国家重点研发计划、广东省重点领域研究计划以及深圳市基础研究重点项目等10余项国家、省部和市级项目,发表SCI/EI论文30余篇,撰写专业英文著作重要章节,授权/申请国内发明专利40余项和PCT专利4项,参与撰写氮化镓微...
丁孙安博士,毕业于清华大学电子工程系。专注半导体与微电子领域研发工作30年,先后在中科院半导体所、德国马普学会、日本广岛大学、美国朗讯科技与英特尔公司、中科院苏州纳米所积累了丰富的专业教学、科学研究、技术开发、工程建设等方面的经验。研究方向涵盖硅基器件及大规模集成电路,化合物半导体光电器件,宽禁带新型半导体材料等;技术上精通纳米材料的各种高精表征测试,器件工艺开发及失效分析等;工程上擅长大型实验室...
赵昱达博士,浙江大学微纳电子学院百人计划研究员,博士生导师。2012年获得南京大学物理学院理学学士学位。2016年于香港理工大学应用物理系获得哲学博士学位,并入围2017香港青年科学家奖。2016年起,先后在香港理工大学和法国斯特拉斯堡大学从事博士后研究工作。2018年入选欧盟“玛丽•居里学者”人才计划。加入浙江大学微纳电子学院后,任前沿所副所长,院青年教师发展中心副主任,入选省海外引...
张睿,博士毕业于日本东京大学电子工程系,长期从事新型集成电路技术领域的研究,尤其是基于Ge、III-V半导体材料的新型集成电路技术。近年来在国际会议和期刊上发表论文100余篇,多次受邀在集成电路技术领域的国际会议中做邀请报告,申请专利8项(其中日本专利1项)。研究成果被《日本产业经济》等主流媒体报道,并被授予2013年度国际电子电气工程师协会(IEEE)Paul Rappaport奖(排名第1)、...
程然,浙江大学微纳电子学院副教授、博导。本科及博士毕业于新加坡国立大学电气工程系。主要从事新型半导体逻辑器件以及量子计算及低温电路的模型及可靠性研究。她在新型器件集成以及新型电路测试表征方面有着丰富的经验。创新性的研制了应变层(liner stressor)集成的极细锗纳米线晶体管技术,可极大提高了集成电路的性能,并被半导体芯片领域权威网站报道Semiconductor Engineering。此...
魏进,研究员,博士生导师。研究领域:宽禁带半导体技术、半导体功率器件、功率电子学。主要研究领域当今社会迎来了新一轮的电气化浪潮,电动汽车、机器人、无人机、智能家居、智能电网等技术的发展,有望在未来深刻改变人类社会的形态。这些新型电子电气设备的出现对电源管理系统提出了苛刻的要求。半导体功率器件是电子电气设备中对电能进行管理与控制的核心元器件,功率器件的性能直接决定了电源管理、电机控制、电力传输等系统...
张国和,教授,博导。研究领域或方向是半导体器件物理及模型研究,数模混合集成电路设计,视觉信息与图像处理VLSI设计,VLSI可测性设计,类脑计算。正在或曾经承担的科研项目是随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究,垂直围栅MOSFET 工艺、性能及模型研究等。
李尊朝,教授,博士生导师,西北大学学士学位、中国科学院长春光学精密机械研究所硕士学位、西安交通大学博士学位,加拿大University of British Columbia和台北大学访问学者,致公党西安交通大学总支委员。研究领域是半导体新器件及三维集成技术、数模混合集成电路及医用集成电路设计、智能计算等。
陈良惠,中国工程院院士。在国内率先实现量子阱激光器的突破,并开拓不同波长,不同功率,不同应用目标的量子阱激光器的研制、开发与工程化。在国内外发表文章100多篇。完成中科院重大项目,国家攻关、863,获国家科技进步奖和中国科学院科技进步奖多项。他主持筹建光电子器件国家工程研究中心,通过国家验收成为光电子器件的研究开发和工程化产业化基地。他曾任半导体研究所副所长,863计划光电子主题专家组副组长。目前...
王圩,中科院院士,研究员,博士生导师。近期主要从事InP基半导体光电子集成器件的研究。近十年来在应变量子阱激光器、电吸收调制器及其集成以及半导体光放大器等方面取得的主要成绩:实现了新型反相位增益耦合量子阱DFB激光器、采用SAG技术,研制成功2.5Gb/s EA-MD/DFB-LD 单片集成模块,并成功地在400公里标准光纤上进行了2.5Gb/s码率的传输、采用应变渐变结构研制成功偏振不灵敏的宽带...
郑厚植,中国科学院半导体研究所院士,研究员,博士生导师。目前主要研究方向包括:低维量子结构物理和纳米量子器件、半导体自旋电子学和自旋量子器件、半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件。最早报道了量子霍耳效应的尺寸效应;他与英国学者同时独立地在国际上最早提出了分裂栅控技术,并用它实现了具有高迁移率的一维异质结量子线;首次报道了局域化由二维至一维的维度变换行为;首次从实验上证实了相位损失时间与...

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