搜索结果: 31-38 共查到“国际动态 计算机存储技术”相关记录38条 . 查询时间(2.249 秒)
德“算出”可提高硬盘性能的新材料
硬盘 材料
2009/12/21
德国莱布尼茨固体与材料研究所2009年12月17日宣布，他们的一项理论计算结果显示，六碳环结构与钴聚合物有望使硬盘存储密度增加近千倍，其存储寿命有可能明显超过当前磁性记录存储技术大约10年的存储寿命极限。
《自然》：澳大利亚开发出1万G超级DVD
澳大利亚开 1万G DVD
2009/5/21
北京时间5月21日消息，据英国《每日邮报》报道，澳大利亚科学家日前宣布，他们成功开发出可存储2000部电影的新一代DVD，这项技术或宣告三维电视和超高清晰视觉享受时代的来临。研究结果刊登在最新一期《自然》杂志上。
世界上最小的静态存储单元问世
静态 存储单元 300毫米
2008/8/19
2008年8月18日，美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。
SRAM芯片是更复杂的设备，比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体...
《纳米快报》：美研制可存储三位数值的纳米线存储器
三位数值 纳米线存储器
2008/7/4
传统存储器件仅能存储“0”、“1”两位值，而美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件却能存储“0”、“1”和“2”3位数值。这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。相关研究发表在近日《纳米快报》（Nano Letters）在线版上。
宾夕法尼亚大学工程与应用科学系助理教授里奇·阿加沃称：“用纳米线制造电子存储器有很多优点，类似于我们制造的非...
全球NAND闪存芯片市场将继续增长
NAND 闪存芯片 数码 移动电子设备
2006/4/8
新华社纽约2006年4月7日专电 美国专业研究机构iSuppli公司7日预测，今年全球NAND（储存型）闪存芯片市场将继续保持增长势头。
日本先锋公司研究开发超大容量芯片
日本 超大容量芯片
2005/1/28
新华网东京2005年1月27日电 日本先锋公司日前透露，该公司正在研究开发能够储存超大容量的下一代记录媒体及其技术。这项技术可以在一枚2.5英寸的芯片上记录相当于现在使用的DVD光盘10万倍的信息内容，配备这种芯片的手机可以储存2万部高清晰度电影。
磁性单晶材料存储能力超过百万张CD盘
俄罗斯 磁性单晶材料 存储能力 CD
2005/1/28
科技日报莫斯科2005年1月27日电 据《俄罗斯报》报道，前不久俄罗斯总统普京视察新西伯利亚时，俄罗斯科学院西伯利亚分院层析X射线学研究中心向普京展示了在单一分子上培育出的具有独特功能的磁性单晶材料。有关专家指出，这一科研成果将对研制新型超级计算机有重要意义。
三星公司开发成功超大容量闪存
闪存 纳米半导体
2004/9/23
新华社汉城2004年9月23日专电 韩国三星电子公司最近开发成功大容量纳米半导体——60纳米8千兆位闪存。据称这是目前世界上容量最大的纳米半导体。