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SRAM芯片是典型的半导体行业测试新工艺手段的首选设备,是迈向微型处理器的关键第一步。该设备是由AMD、飞思卡尔、IBM、意法半导体、东芝以及纳米科学与工程学院联合开发和制造的。这种22纳米工艺的SRAM芯片是从300mm晶圆上切割而来,采用传统的六晶体管设计方案,整个芯片面积仅有0.1平方微米。而英特尔的45纳米处理器的SRAM芯片面积为0.346平方微米。
日前,全球内存领导生产商奇梦达公司与专精于高速内存架构的全球领先的技术授权公司Rambus Inc. 共同宣布奇梦达已开始为PLAYSTATION®3(PS3™)计算机娱乐系统量产出货XDR DRAM。
德国Novaled开发型有机晶体管     开发型  有机  晶体管       2008/9/12
Novaled AG(德国,德累斯顿)通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯(Pentacene)半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。
韩国现代半导体公司28日表示,该公司位于忠清道清州市的12英寸存储芯片厂已经完工。韩国现代半导体公司表示,该公司能够加工12英寸晶圆的存储芯片厂已经完工,12英寸晶圆能够以具有竞争力的成本切割更多芯片。
瑞萨科技近日宣布,08年10月起将供应采用65nm工艺技术生产的双核构造车载微控制器“SH7786”。主要用于高级车载导航仪。
VICTREX® PEEK®聚合材料、VICOTE™涂料和 APTIV™薄膜等高性能材料的领先制造商英国威格斯今日宣布与位于弗兰肯塔尔的Coloprint 工程薄膜有限公司达成战略合作关系,该公司将成为威格斯在德国的首选加工厂。
“我们正在建设的模组项目,厂房土建已经接近封顶,预计11月份可以完成。”近日,针对业界对国内彩电企业生产液晶模组的关注,TCL集团董事长李东生在接受记者采访时如是透露。据悉,TCL液晶模组项目第一期项目预计年产量为233万件。
在863计划新材料领域的支持下,安泰科技股份有限公司与德国合作开发的低成本铜铟硫(CIS)薄膜太阳能电池20kW并网发电系统,已应用于奥林匹克公园中心区。迄今为止,世界范围内尚未见关于铜铟硫薄膜太阳电池并网发电规模应用的报道,这是10kW级铜铟硫太阳电池的第一个并网发电示范项目。
着眼于新兴的个人共享网络附加储存(NAS)市场,牛津半导体(Oxford Semiconductor)推出了高度集成的OXE810x NAS平台,旨在桥接以太网(Ether net)和多达两个SATA硬盘。该公司还推出了OXUFS 936x的RAID平台,为直接附加储存装置(DAS)提供至SATA数据机储存与整合硬件RAID控制器还原装置的通用接口(即USB2.0/FireWire/eSATA)。
德国Neubiberg与柏林讯——英飞凌科技股份公司近日推出适用于无线控制应用的下一代高度集成化发射器集成电路。全新Smart LEWIS™ MCU PMA71xx系列的所有型号,都装有一颗适用于1GHz ISM 子频的ASK/FSK多频带发射器,以及通过特定的嵌入式混合信号外设增强的8051微控制器。内装Smart LEWIS MCU的遥控器可采用无线射频(RF)技术取代目前常用的红...
SEMI日前公布了2008年6月份北美半导体设备制造商订单出货比报告。按三个月移动平均额统计,6月份北美半导体设备制造商订单额为10.3亿美元,订单出货比为0.85。订单出货比为0.85意味着该月每出货价值100美元的产品可获得价值85美元的订单。
AMD新任CEO在最新一次内部工作会议中表示,AMD没有计划要卖掉芯片晶圆制造公司,而先前的相关消息完全是谣传。引援AMD公司一位发言人的谈话,AMD会从多方面寻求平衡点,以达成和保持世界级的制造和优化设计供货能力,包括AMD在公司内部以及面向全球消费市场的整体需求,并且会在全球范围内控制和调节好晶圆产能,以满足AMD公司在全球的持续收益率。
在可能被称作“后摩尔定律”的时代,芯片和半导体设备制造商走到了十字路口。按照著名的摩尔定律,过去四十年里半导体产业无情地追求等比例缩减,这在未来将会成为一个非常难实现的目标。
韩国知名内存芯片制造商海力士(Hynix)今天宣布,已决定于2008年9月底关闭其在美国境内的芯片制造厂。该公司还表示,今后将致力于提高内存芯片制造标准,以阻止全球范围内出现的内存价格急剧下跌现象。
KLA-Tencor公司今天推出其领先业界的最新版计算光刻机 PROLITH 11。这种新型光刻机让用户首次得以评估当前的二次成像方案,并以较低的成本针对光刻在设计、材料与制程开发等方面挑战,尝试不同的解决方案。这种新型计算光刻机还支持单次成像和浸没技术。

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