搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 微电子学”相关记录715条 . 查询时间(2.343 秒)
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中国科学院微电子研究所欧洲核子中心ATLAS国际合作组代表团访问微电子所(图)
核子 微电子 探测器
2024/6/20
2024年5月12日,欧洲核子中心大型强子对撞机实验ATLAS国际合作组发言人Andreas Hoecker、ATLAS资源调配负责人David Francis、ATLAS探测器升级项目负责人Benedetto Gorini、ATLAS高颗粒度时间探测器项目经理Joao Guimaraes da Costa访问微电子所。微电子所副所长罗军及微电子所先导中心、高能所实验物理中心部分科研骨干参加了交流...
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中国科大五项芯片设计成果亮相ISSCC 2024(图)
芯片设计 微电子学 集成电路
2024/2/29
2024年2月29日,中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的五款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域知名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2024于今年2月18日至22日在美国旧...
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中国科大合作开发最轻的头戴式荧光显微镜(0.43g)(图)
光学 电子学 机械
2024/2/4
2024年1月29日,中国科学技术大学、中国科学院深圳先进技术研究院脑疾病与脑认知研究所毕国强教授课题组和深圳理工大学(筹)周鹏程课题组合作在National Science Review杂志在线发表名为“Multi-region calcium imaging in freely behaving mice with ultra-compact head-mounted fluorescence...
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中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展(图)
芯片 集成 微电子
2024/1/11
传统贝叶斯机面临三大挑战:一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流;二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加,因此需要高密度的存储器;三是存储器和随机源的分离,导致了芯片面积和功耗的浪费。
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中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展(图)
三维神经 形态计算 微电子
2024/1/11
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列,其中不同层器件分别具有非易失性和易失性,这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件(字线:TiN)和第2层器件(字线:Ru)分别表现出不同的动态特性,可以用于构建多时间尺度储备池计算网络;第3层器(WL:W)表现出了多比特存储的非易失特性,可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
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南京邮电大学电子与光学工程学院、南京邮电大学柔性电子(未来技术)学院学生在2023年全国大学生嵌入式芯片与系统设计竞赛——FPGA创新设计竞赛决赛中获一等奖并捧得易灵思最高奖杯(图)
嵌入式 芯片 系统设计 FPGA 易灵思 最高奖杯
2023/12/4
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微芯学堂第二十六讲:当前芯片设计的挑战和国产EDA机遇(图)
微芯学堂 第二十六讲 芯片设计 敬伟
2023/10/25
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中国科学院半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展(图)
手性分子 电子学器件 非磁性金属
2023/8/25
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点,相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”(Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS)。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵,但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。
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中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展(图)
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
2023/8/15
互联网、人工智能等信息技术的快速发展,对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势,被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase,简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式,使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场,进而导致器件工作电压...
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中国科大在高频声表面波器件领域取得突破(图)
器件 微电子 耦合
2023/8/11
自1965年叉指换能器(IDT)和声表面波(SAW)技术被发明以来,声表面波谐振器被广泛应用于2 GHz以下的中、低频无线通信。随着无线通信发展进入5G和6G,标准定义的新频段均在3 GHz以上,带宽均在500 MHz以上,这使得传统的SAW技术在高频、高品质因数、高机电耦合系数等方面遇到了发展瓶颈。主要的限制在于传统SAW技术使用单一的压电系数来实现电能与机械能的相互转换。
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中国科学院微电子所在自旋神经形态器件方面获进展(图)
微电子所 自旋神经 形态器件
2023/3/29
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性,解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而,面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段,基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容;基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路,且耐久性受限,难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富...