搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录24条 . 查询时间(1.886 秒)
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/15
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
为大力弘扬科学家精神，涵养优良学风，营造创新氛围，中国科学院组织开展2023年中国科学院年度人物和年度团队评选活动，集中展示新时代涌现出的先进典型，引导干部职工对标身边榜样，心系“国家事”、肩扛“国家责”，切实履行国家战略科技力量主力军的职责使命，以科技创新实践谱写科学家精神新篇章。2023年的评选工作于2023年10月初启动，经所党委推荐，中国科学院有关部门组织专家初评和评审委员会复评，产生了1...
2023年11月15日，在第25届高交会上，高性能芯片设计与制造院士论坛暨重大项目签约活动在茉莉厅举行。会上，深圳先进院与合作代表完成14个重大项目现场签约。在签约仪式现场，深圳先进院围绕集成电路领域，积极推动高端集成电路先进封装材料产业发展，与深圳市重大产业投资集团有限公司合作，共同推动半导体产业发展，进一步加快集成电路材料国产化替代，带动产业能级整体跃迁。
中国科学院半导体所设计出超高自旋轨道矩效率的反演对称破缺超晶格（图）
中国科学院 半导体所 自旋轨道 矩效率 超晶格 Nano Letters
2023/10/18
中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念，并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而，实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象，最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
2023年6月14日，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请，于工学院北楼506举办讲座，报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si...
2023年4月19日下午，德国国家工程院院士、欧洲科学院院士冯新亮教授名誉教授聘任仪式暨IAM星火大讲堂在南京工业大学科技创新大楼学术报告厅举行。中国科学院院士、俄罗斯科学院外籍院士、美国国家工程院外籍院士、IAM学科带头人黄维院士，校党委常委、副校长凌祥，人事处处长王曙光，柔性电子（未来技术）学院党委书记马明辉、院长陈永华及200余位师生代表参加了活动。
湖南师范大学物理与电子科学学院杨凯科教授在SCIENCE CHINA Physics,Mechanics & Astronomy上发表最新研究成果（图）
杨凯科 SCIENCE CHINA Physics Mechanics & Astronomy 半导体材料 半导体器件
2023/4/3
半导体材料是现代光电和微电子信息技术的基础。后摩尔时代半导体器件尺寸不断缩小和集成电路晶体管数目成倍增加，有效地热耗散和热控制成为微处理器、光伏、热电等设备高效率稳定工作的重要保障。如何调控半导体材料热导率和增强热力学稳定性是需要解决的一个关键科学技术问题。近日，我院杨凯科教授与中国科学院半导体研究所邓惠雄等人在SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronom...
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
据中国电子科技集团有限公司官方消息，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，并表示已达到国际最高水平。
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...
CIE第12期电子信息云讲堂将于2022年9月22日（本周四）19:30开播。本期云讲堂邀请中国科学院半导体所赵德刚研究员，西安电子科技大学周弘教授，中国科学院半导体所梁锋博士，围绕“超宽禁带半导体材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、期刊发展中心等联合承办。
2022年8月28日，国家自然科学基金基础科学中心项目——“信息超材料”现场考察会在南京举行。经过基金委严格的评审程序，该项目顺利通过专家评审和现场考察。国家自然科学基金委员会（以下简称基金委）副主任陆建华院士、信息科学部主任郝跃院士、常务副主任刘克、副主任何杰等领导及专家组成员听取项目负责人汇报，并与项目组骨干成员、依托单位及合作单位管理部门人员进行分组访谈，同时对实验室进行了实地调研。东南大学...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员团队在半导体的激子-声子耦合的研究方面取得了一系列进展，相关工作分别以“锰掺杂氧化锌纳米线的多声子过程”（Multiphonon Process in Mn-Doped ZnO Nanowires），“卤化物双钙钛矿中自陷激子介导的高阶拉曼散射”（High-order Raman scattering mediated by self-tr...
8英寸碳化硅单晶研究获进展（图）
8英寸 碳化硅 单晶
2022/4/27
碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有应用潜力。高质量、低成本、大尺寸SiC单晶衬底是制备SiC器件的基础，掌握具有自...
近日，宜确半导体（苏州）有限公司与深港微电子学院签署合作协议，共同建立了“南科大深港微电子学院-宜确半导体联合实验室”。随着第三代半导体材料与器件的迅速发展，产业界已经掀起了应用研发热潮。宜确半导体（苏州）有限公司瞄准未来产业布局，携手深港微电子学院共同开展基于宽禁带材料的射频器件研发，以期突破现有技术瓶颈，开发出国际先进水平的射频前端通信芯片。深港微电子学院在这方面拥有长期的研究积累，联合实验室...