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拓扑绝缘体及其边界态的研究一直备受关注。最近研究人员提出了高阶拓扑绝缘体[1]，比如三维二阶拓扑绝缘体，同时具有有能隙的体态和表面态，但是存在无能隙的一维棱态。二维的二阶拓扑绝缘体(2D SOTI)在能隙中存在相应的角态，Benalcazar等人提出的2D SOTI模型不适合电子材料体系[1]，而且人们很少在过渡金属层状材料中提出高阶拓扑。近年来，A2M1,3Te5(A=Ta, Nb; M=Pd,...