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开发近红外波段具有宽吸收且高外量子效率的超窄带隙光伏材料，对于实现高效的叠层有机太阳能电池（OSC）和钙钛矿/有机叠层太阳能电池至关重要。然而，超窄带隙有机半导体材料极大的受到非辐射性三线态激子的影响，进而造成严重的非辐射性能量损失。因此，开发具有低能量损失的超窄带隙有机受体光伏材料具有一定挑战。
非苯型的共轭分子骨架与相应的苯类化合物相比具有不同的电子和结构特征。含有非苯型的五元环或七元环的大共轭分子可能作为含有“缺陷”的新型碳的同素异形体而展现特异的光、电、磁等性质。因此，含五元环或七元环的共轭分子受到了越来越多的关注并被合成和研究。然而，目前的研究主要存在稠合模式单一、合成复杂、结构不稳定、分子不平面、缺乏功能研究等问题。
天津市集成电路行业协会组织企业参加第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会
天津市 集成电路 半导体 展示会
2023/8/11
2023年8月9日，第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC) 在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕！天津市集成电路行业协会组织众望赛米控（天津）科技有限公司、天津太航金属材料有限公司等多家企业参展。
中国科学院深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法（图）
人工光细胞 催化 半导体材料
2023/7/31
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成，合成新的人工体系（“人工光细胞”），利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能，可潜在提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力，为光驱生物制造技术提供新路径。然而，半导体材料吸收光能产生的是电子，细胞利用的能量为生物能（ATP和(NADP)H），因而必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分子层绝缘性...
深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法（图）
人工光细胞 催化 半导体材料
2023/7/26
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成，合成一种新的人工体系（“人工光细胞”），利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能，可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力，为光驱生物制造技术提供新的路径。然而，半导体材料吸收光能产生的是电子，细胞利用的能量为生物能（ATP和(NADP)H），因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
2023年6月14日，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请，于工学院北楼506举办讲座，报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上，主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si...
2023年4月19日下午，德国国家工程院院士、欧洲科学院院士冯新亮教授名誉教授聘任仪式暨IAM星火大讲堂在南京工业大学科技创新大楼学术报告厅举行。中国科学院院士、俄罗斯科学院外籍院士、美国国家工程院外籍院士、IAM学科带头人黄维院士，校党委常委、副校长凌祥，人事处处长王曙光，柔性电子（未来技术）学院党委书记马明辉、院长陈永华及200余位师生代表参加了活动。
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
湖南师范大学物理与电子科学学院杨凯科教授在SCIENCE CHINA Physics,Mechanics & Astronomy上发表最新研究成果（图）
杨凯科 SCIENCE CHINA Physics Mechanics & Astronomy 半导体材料 半导体器件
2023/4/3
半导体材料是现代光电和微电子信息技术的基础。后摩尔时代半导体器件尺寸不断缩小和集成电路晶体管数目成倍增加，有效地热耗散和热控制成为微处理器、光伏、热电等设备高效率稳定工作的重要保障。如何调控半导体材料热导率和增强热力学稳定性是需要解决的一个关键科学技术问题。近日，我院杨凯科教授与中国科学院半导体研究所邓惠雄等人在SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronom...
根据近日北京市科委公布的2021年度北京市科学技术奖公报，化学所牵头完成的项目“高迁移率分子半导体材料的设计合成与晶体管器件的基础研究（完成人：刘云圻、于贵、郭云龙等）”获得2021年度北京市科学技术奖自然科学一等奖。
据中国电子科技集团有限公司官方消息，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，并表示已达到国际最高水平。
中国科学院可控生长InSb纳米低维结构及其高质量量子器件研究获进展（图）
纳米低维结构 量子器件 半导体材料
2023/2/28
窄带InSb半导体材料以高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体-超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构如纳米线或2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而颇具潜力。然而，InSb量子阱由于大晶格常数，较难在绝缘基板上外延生长。解决这些问题的方法之一是自...
宁波江丰同芯半导体材料有限公司举行开业暨投产仪式
宁波 江丰同芯 半导体材料
2023/2/21
据宁波江丰电子材料股份有限公司官微消息，2023年2月18日，江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司（以下简称“江丰同芯”）举行开业暨投产仪式。
苏州纳米所在彩色基底用于半导体SERS方面取得研究进展（图）
半导体材料 单分子检测 薄膜结构
2023/2/7
表面增强拉曼散射（SERS）是一种强大的痕量分析技术，具有单分子检测的灵敏度，并提供分子指纹信息，在痕量分析、界面表征等领域具有巨大的应用价值，其中基底材料是SERS研究的核心。2023年来，半导体材料由于低成本、高选择性、结构可调、生物相容性好等特点，成为SERS基底研究的一个新兴方向。然而，相比于传统的贵金属SERS材料，半导体SERS在灵敏度上仍有数量级的差距，其中一个重要原因是半导体SER...
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室在二维半导体WS2中研究了布里渊边界声学声子与暗激子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（示意见图1a，b），并揭示了对称性在其中扮演的重要作用。2023年1月06日，相关研究成果以“少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉”（Quantum interference between dark-excitons and zone-ed...