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拓扑绝缘体(Topological Insulator)是一种新奇的物质状态,它的体相是绝缘态而表面却是零带隙的金属态。尤其它的表面是受拓扑保护的导电态,不受非磁性杂质和晶体缺陷的干扰,因而在无损耗的量子计算和新奇的自旋电子器件等领域具有重要的应用价值。时间反演对称性保护的三维拓扑绝缘体如Bi2Te3, Sb2Te3和Bi2Se3 的发现和研究激励着研究者们寻求新的对称性保护的拓扑绝缘体。2012...
据《自然》网站2013年3月8日报道,最近,德国马克斯·普朗克研究院固体研究所科学家发现,自然界中也存在天然形成的拓扑绝缘体,而且比人工合成的更纯净。这一发现对建造自旋电子设备具有促进作用,并有助于设计开发用电子自旋来编码信息的量子计算机。研究结果发表在最近出版的《纳米快报》上。
2012年7月2日上午,西安交通大学 “2011计划”先进电力技术及装备” 研讨会在科学馆207举行,部分高校、企业代表齐聚一堂,共同研讨2011计划先进技术及装备领域中的国家重大需求,为做好西安交通大学协同创新建言献策。
2009年10月28日,中科院电工研究所承担的“高压纳秒脉冲绝缘材料特性研究”项目的科技成果鉴定会由中国机械工业联合会在北京主持召开。鉴定会由中国电工技术学会常务副秘书长周思刚主持,来自中国工程院、国防科技大学、清华大学、西安交通大学、华中科技大学和西北核技术研究所的6位专家组成的鉴定委员会对该项目进行鉴定。中国电工技术学会学术部主任王志华、高巍博士、电工所所长肖立业出席了鉴定会。

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