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搜索结果: 16-29 共查到知识要闻 光存储与记录相关记录29条 . 查询时间(4.031 秒)
近日,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士的科研团队在HfO2基铁电存储器研究领域取得了进展,提出了一种基于Hf0.5Z0.5rO2(HZO)材料的铁电二极管(Fe-diode),并实现了三维集成。 铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点,是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。然而,传统铁电材料与标准CMOS工艺兼容性差问题和尺寸微缩难的问题制约着铁电存储器的发展。2011年,掺杂...
中国科学技术大学李晓光团队一直致力于铁性隧道结信息存储原型器件研究,在磁电耦合、超快、多阻态、低功耗、非易失信息存储等方面取得了重要进展。在前期研究基础上,近日,该团队基于铁电隧道结量子隧穿效应,实现了具有亚纳秒信息写入速度的超快原型存储器,并可用于构建存算一体人工神经网络,该成果以“Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel ju...
人类文明的传承依赖于海量文字、图片、视频和音频等信息的存储。随着存储信息量日渐庞大,传统存储技术不堪重负,引发了人们对新型存储介质及存储模式的不断探索。目前,传统磁存储正逐渐被能耗更低、容量更大、使用寿命更长的光存储所代替。然而,受制于光学衍射极限及二维存储模式,光存储介质的存储容量难以超越1 TB。近年来,借助于激光技术的发展,利用紫外/蓝光激光逐点写入和近红外激光扫描读取,光激励发光材料在光存...
2020年2月13日,《自然》发表的一项研究演示了两个相距50公里的量子存储器的纠缠。这个距离比之前报道的距离要远得多,或为实现多节点、远距离纠缠铺平了道路,有助于量子互联网的开发。中国科学技术大学潘建伟、包小辉、张强等与济南量子技术研究院和中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在量子中继与量子网络方向取得突破。他们通过发展高亮度光与原子纠缠源、低噪高效单光子频率转换技术和远程单光子精密干涉技...
近日,化学化工学院王国明教授课题组在《美国化学会志》(Journal of the American Chemical Society)正式发表题为“Manipulating On/Off Single-Molecule Magnet Behavior in a Dy(III)-Based Photochromic Complex” 的研究论文(J. Am. Chem. Soc. 2020, 14...
2020年1月14日,《德国应用化学》(Angewandte Chemie International Edition)在线刊发了化学与化工学院解孝林教授团队的最新研究成果:“基于聚集诱导发光体与液晶的协同作用实现双重热敏图像的无串扰存储(Crosstalk‐Free Patterning of Cooperative‐Thermoresponse Images by the Synergy of...
2019年12月10日凌晨,中国工程院外籍院士、上海理工大学人工智能纳米光子学研究中心负责人顾敏团队的“轨道角动量全息技术”相关研究成果以8页长文形式发表在光学期刊《自然·光子学》上,团队的方心远博士为第一作者。该技术利用具有“螺旋”特性的轨道角动量光束作为光学全息过程中的信息载体,实现了超宽带的光学全息信息传递过程,并把“螺旋光”配成多把“钥匙”,为信息传递设置了只有接收人才可打开的专属信息安全...
近日,物理与电信工程学院2015级本科生陈志源关于反铁磁材料畴壁动力学的微磁学模拟两项研究工作分别被国际物理类顶尖期刊Physical Review B接受发表,其中一篇为Rapid communication。随着大数据时代的到来,对信息存储的要求越来越高。反铁磁材料由于在下一代自旋电子学器件如高速赛道存储器中具有重大潜在应用价值,成为凝聚态物理和自旋电子学研究的前沿。相比于铁磁材料,反铁磁材料...
传统磁性材料如(Fe、Co、Ni)多应用于电工与电子领域,其可作为存储材料在生活中(磁带、磁卡、计算机存储硬盘)应用十分广泛,但同时也会由于消磁而引起数据丢失。反铁磁材料由于其具有优异的抗干扰性及响应速度成为近几年研究的热点,并可能在以后逐步应用于记忆存储设备中。但传统反铁磁材料对外界磁场的感应不敏感,所以采用电流控制磁性所需电流能量很高,产生的热量巨大,而利用电场对反铁磁耦合进行调控有望解决这一...
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的,具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前,对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理,如导电丝的形貌,导电丝的动态演变过程和化学组分等已经被广泛研究。而对于氧空位类型的阻变存储器的阻态翻转机制,...
近日,索尼和镁光公司宣布其研发小组开发出高速、大容量ReRAM(可变电阻式存储器),该类型存储器填补了DRAM与NAND之间的性能鸿沟,有望提高整体系统性能。新产品的容量为16Gbit,超过了目前的DRAM,而且具备超过NAND闪存的高速性。数据传输速度在读取时为1GB/秒,写入时为200MB/秒,访问等待时间在读取时为2μs,写入时为10μs。采用1GB/秒的DDR接口以及与DRAM接近的8存储...
2008年12月4日,国家863重点项目课题“相变随机存储器存储材料及关键技术”启动会议在依托单位中科院上海微系统与信息技术研究所召开。微系统所封松林所长、科技处胡善荣处长以及课题参加人员出席了此次会议。会议由课题组长宋志棠研究员主持。来自中科院上海微系统与信息技术研究所、中芯国际、中科院半导体所、北京大学、香港科技大学、同济大学、上海交通大学等单位的共计40余人出席了会议。
在“神七”飞天实现历史性的太空漫步之时,上海光源国家重大科学工程也紧张有序地进入“冲刺”阶段。国庆长假期间,上海光源加速器调束和光束线站建设调试又取得突破。
国家"九五"攀登计划预选项目"细菌视紫红质分子光存储的研究"成果鉴定会在中国科学院西安分院主持下,于2001年12月28日在西安光机所召开。 鉴定委员会由中国科学院化学研究所江龙院士以及西安交通大学、中科院上海光机所、西安电子科技大学、西北工业大学等单位有关专家组成。西安光机所马彩文副所长、瞬态室孙传东副主任、科技处及项目组有关人员共十余人参加了会议。 该项目负责人陈烽在会上作了工作总结报告及研究...

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