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中国科学院福建物质结构研究所专利：一种基于稀土激活硼钼酸盐晶体的太赫兹激光器
中国科学院微电子研究所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展（图）
二硫化钼 负电容场效应 晶体管
2021/1/8
近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移...
近日，材料科学领域的权威杂志《美国化学学会纳米》在线刊发了工学院材料科学与工程系张艳锋教授课题组的研究论文“Epitaxial Growth of Centimeter-Scale Single-Crystal MoS2 Monolayer on Au(111)”，报道了该课题组在厘米级MoS2单晶薄膜的可控制备和生长机理方面所取得的最新研究成果。继石墨烯之后，单层/少层半导体性过渡金属硫属化合物...
压电材料作为一种可以直接将外界力学信号转化成电学信号的材料，与场效应晶体管相结合可以实现外界应力对器件输运特性的调控。近日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员孙其君、中科院外籍院士王中林以及中科院物理研究所研究员张广宇的研究团队利用驻极体材料与二硫化钼场效应晶体管的结合实现了对器件的静态/动态双调控。赵静等研究人员利用驻极体材料（聚偏二氟乙烯-三氟乙烯，PVDF-TrFE）的压电-驻极体特性...
中国科学院物理研究所超灵敏二硫化钼湿度传感器研究获进展（图）
中国科学院物理研究所 超灵敏 二硫化钼 湿度传感器
2017/11/20
二维材料由于其超高的表体比、优异的电学性能、柔性透明等特性在湿度传感器领域显示了巨大的应用前景。这其中以二硫化钼为代表的过渡金属硫属化物由于其优异的电流开关比、迁移率等特性为其在电子学器件中的应用提供了可能。由于二硫化钼本身是一种n型半导体，因此当其表面吸附水分子时，相当于对其进行了p型掺杂，其电学性质会表现出相应的变化，利用这一原理可以用于感知外界水分子量变化的湿度传感器。现阶段对二硫化钼湿度传...
上海光机所与江苏峰峰钨钼制品股份有限公司签订企业院士工作站协议
光纤激光器 上海光机所 半导体照明
2011/3/25
2011年3月22日，江苏峰峰钨钼制品股份有限公司吴勇本董事长、江苏省东台市科技局朱根林等一行来所访问。上海光机所李儒新所长、林尊琪院士、楼祺洪研究员、杭寅研究员、周军研究员等出席了接待。
电感耦合等离子体发射光谱法测定高铬铸铁中的铬、镍、铜、锰、磷、硅、钼和钛
微波消解 电感耦合等离子体发射光谱 高铬铸铁 内标法
2010/11/15
高铬铸铁样品经微波消解，以氧化钇为内标，用电感耦合等离子体发射光谱法同时测定样品溶液中的铬、镍、铜、锰、磷、硅、钼和钛。分析了3种有证国家标准物质，测定值同证书值吻合，验证了方法的准确性。