搜索结果: 1-15 共查到“钇”相关记录77条 . 查询时间(0.089 秒)
本发明涉及一种磷酸钇双折射晶体及其生长方法和应用，该晶体化学式是YPO4，属四方晶系, 空间群I41/amd，晶胞参数为a=6.8947??，c=6.0276??，V=286.53??3，Z=4；该晶体用于红外-深紫外波段，为单轴晶体，透过范围为150-3300nm；双折射差△n=ne-no在0.18到0.22之间，采用高温熔体法（熔体提拉法、熔体顶部籽晶法）或助熔剂法生长磷酸钇大尺寸晶体。通过本...
本发明涉及一种磷酸钇系列激光晶体及其制备方法和用途，该晶体的结构通式为Y1-xRExPO4，其中RE为激活离子，是三价过渡金属元素Cr以及镧系元素Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或两种或三种；0＜x＜0.5，该类晶体属于四方晶系，锆石型结构，空间群I41/amd。该类晶体采用助熔剂法生长单晶，可作为固体激光器的工作物质，被闪光灯、半导体激光或其他光源泵浦而输...
本发明涉及一种三氧化二钇掺杂的宽温区热敏电阻材料及其制备方法，该材料以分析纯碳酸钙、二氧化铈、五氧化二铌、三氧化钨、三氧化二钇为原料，经混合研磨、煅烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到Y2O3掺杂的具有白钨矿结构的YxCa1‑xCeNbWO8陶瓷材料，材料常数为B300℃/600℃=5600K—9600K，温度100℃电阻率为1.34×106Ωcm—1.27×108 Ωcm,...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：钡掺杂铬酸镧包覆钇稳定氧化锆负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 钡掺杂 铬酸镧包覆 钇稳定 氧化锆 负温度系数 热敏复合陶瓷材料
2024/1/5
本发明涉及一种钡掺杂铬酸镧包覆钇稳定氧化锆负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法，该方法内部核是具有高电阻值的高阻相钇稳定氧化锆（YSZ）材料，外部壳是具有低电阻率和低热敏常数的低阻相LaBaCrO材料，核和壳分别通过以氧氯化锆的八水化合物、硝酸钇的六水化合物、氨水；三氧化二镧、三氧化二铬和碳酸钡为原料，经过研磨、煅烧、研磨、复合压块成型、冷等静压成型、高温烧结，即可得到LaBaCrO‑...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 锰酸镧 氧化钇 双层结构 负温度系数 复合陶瓷材料
2024/1/4
本发明涉及一种锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料的制备方法，该方法材料结构由上层结构为低阻相的锰酸镧与氧化钇的复合相和下层结构高阻相的氧化钇双层结构组成，通过以碳酸锰，氧化镧，氧化钇为原料，经过研磨、煅烧、研磨、压块成型、冷等静压成型、高温烧结，即得到锰酸镧与氧化钇双层结构的负温度系数热敏复合陶瓷材料，其材料常数B500‑800℃的范围为(9738‑1893...
本发明涉及一种钇和锆共掺杂的宽温区高温热敏电阻材料及其制备方法，该材料以分析纯碳酸钙、三氧化二钇、氧化铜、二氧化钛和二氧化锆为原料，经混合研磨、煅烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即可得到类钙钛矿结构的Ca1‑xYxCu3Ti4‑yZryO12（0≤x≤0.15；0≤y≤0.15）热敏陶瓷材料，材料常数为B25℃/300℃=4390K‑6880K，温度25℃...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：脉冲钇铝石榴石激光治疗仪
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 脉冲 钇铝石榴石 激光治疗仪
2023/12/26
中国科学院合肥物质科学研究院专利：脉冲钇铝石榴石激光治疗仪
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种双钙钛矿型与氧化钇复合的负温度系数热敏电阻材料的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 双钙钛矿型 氧化钇复合 负温度系数 热敏电阻材料
2023/12/19
本发明涉及一种双钙钛矿型与氧化钇复合的负温度系数热敏电阻材料的制备方法，该方法以MnO2、Ni2O3、Co2O3、Y2O3为原料，经过高能球磨，添加不同分散剂而形成的复合粉体。经过混合球磨、预烧、再混合球磨，冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极，即得到一种新型的材料常数为B100‑600℃=3900‑4580 K，温度100℃电阻率为32820‑77460Ω·cm的...
中国科学院金属研究所专利：一种组织均匀镍-三氧化二钇中间合金的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 镍-三氧化二钇 中间合金
2023/11/16
一种组织均匀镍-三氧化二钇中间合金的制备方法：首先制备成分均匀的镍-三氧化二钇复合粉末；然后将镍-三氧化二钇复合粉末进行成型,之后在保护性气氛下进行烧结,最后冷却到室温,得到组织均匀镍-三氧化二钇中间合金；其中,制备成分均匀的镍-三氧化二钇复合粉末的具体过程为：1)首先将可溶性的镍盐、钇盐制成溶液；2)然后将上述溶液制成前驱体粉末；3)将上述前驱体粉末焙解为氧化物复合粉末；4)再将氧化物复合粉末还...
本发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种钇硅氧氮-氮化硼(Y4Si2O7N2-BN)陶瓷基复合材料的原位制备方法。该复合材料由钇硅氧氮和氮化硼两相组成,按体积百分比计,复合材料中氮化硼的含量为5～95％,余量为钇硅氧氮。以氧化钇粉、氧化硅粉、氮化硅粉和BN粉为原料,料粉经过球磨1～24小时,烘干过筛后,装入石墨模具中,以10～15MPa冷压,之后在通有氮气作为保护气氛的热压炉中以5～40℃/min...
中国科学院金属研究所专利：一种钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 氮化硼 陶瓷基 复合材料
2023/9/26
本发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种钇硅氧氮-氮化硼(Y4Si2O7N2-BN)陶瓷基复合材料及其制备方法。该复合材料由钇硅氧氮和氮化硼两相组成,按体积百分比计,复合材料中氮化硼的含量为5～95％,余量为钇硅氧氮。以Y4Si2O7N2粉和BN粉为原料,料粉经过球磨1～24小时,烘干过筛后,装入石墨模具中,以10～15MPa冷压,之后在通有氮气作为保护气氛的热压炉中以5～40℃/min的升温速率...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 陶瓷材料
2023/9/4
本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2),采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钨-锆-氧化钇合金及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种钇硅氧多孔高温陶瓷材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧 陶瓷材料
2023/8/29
本发明涉及多孔高温陶瓷材料领域,具体为一种通过有机泡沫浸渍工艺制备钇硅氧多孔高温陶瓷材料的方法。该方法以聚氨酯有机泡沫为模板,经过碱腐蚀和CMC溶液浸泡预处理后,在Y2SiO5浆料(由Y2SiO5粉、CMC溶液、硅溶胶、高岭土和聚乙二醇或柠檬酸铵混合配制)中浸渍、挂浆后,进行离心和干燥处理除去模板中多余的浆料。随后在700-900℃下热处理去除有机泡沫模板并预烧结,然后在1500-1550℃下进行...
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 高孔隙率 钇硅氧 多孔陶瓷
2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法