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中国科学院武汉分院精密测量院在液体太赫兹波产生机制的理论研究方面取得重要进展（图）
激光 太赫兹波 辐射 吸收
2024/3/4
太赫兹波在通讯、成像等方面具有非常广泛地应用。强场超快激光与物质非线性相互作用是产生太赫兹波的重要方式之一。等离子体、气体、晶体等太赫兹产生介质相关的实验与理论研究较为充分。然而液体水是很强的太赫兹波吸收介质，长期以来一直未有其产生太赫兹波的研究报道。直到2017年，实验发现液体薄膜厚度或液体束直径降到微米量级时，太赫兹波的辐射会远大于吸收，从而开启了液体太赫兹波研究的新方向。
近期，中国科学院近代物理研究所核化学室研究员秦芝团队，利用兰州重离子加速器研究装置（HIRFL）提供的束流轰击金属钍靶，采用自主研制自动化分离设备，制备出医用同位素锕-225。相关成果申请授权了一项发明专利《一种分离锕-225的自动化处理装置及其操作方法》。
中国辐射防护研究院启动防护装备中试生产线建设工作（图）
防护装备 外照射防护 辐射防护
2024/1/24
近日，中国辐射防护研究院启动防护手套等外照射防护装备中试生产线建设工作，对外照射防护产品生产设施进行升级改造和相关生产工艺设备的配套更新。
中国辐射防护研究院放射性湿废物微波桶内干燥技术实现首次应用（图）
放射性湿废物 微波桶 内干燥技术
2024/1/18
近日，中辐院三废治理研究所成功中标秦山核电有限公司和核电秦山联营有限公司“秦山核电2023-2024年度泥浆、浓缩废液微波干燥处理”项目，这是我院放射性湿废物微波桶内干燥技术在核电厂的首次应用，对提升我国放射性废物综合治理能力和推进放射性废物最小化具有重要意义。
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法，该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性，又使的器件具有MOS管的特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法，该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成，利用附加栅电极半导体工艺，在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极，所加栅电极既不影响器件的双极常规特性，又使的器件具有MOS管特性，测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场，使得器件基区表面能级发生弯曲，从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种提高器件抗电离辐射总剂量效应的方法，包括以下步骤：1)制作单层结构复合材料：2)制作多层结构复合材料：3)测量电子束在复合材料中的透射系数：4)采用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算材料的理论透射系数：5)修正电子透射系数；6)采用屏蔽效果最好的复合材料，在器件的相应芯片处进行二次封装。本发明在保证屏蔽效果最好的同时，使封装质量最小，可提高航天器器件抗电离辐射总剂量效应。
2023年12月29日，首份《中国核技术应用产业发展报告》报告会暨核技术大讲堂在京举办。中国核能行业协会副秘书长、核技术应用专业委员会常务副主任委员龙茂雄主持会议，《中国核技术应用产业发展报告（2023）》（以下简称《产业发展报告》）编写组组长冯毅作报告。
本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备，该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成，该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测；并实现辐照测试的一体化、操作的自动化，可显著提高辐照与测试的稳定性...
本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法，该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成，利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光，经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置，样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口，经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号，...
本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂...
本发明涉及一种铽掺杂磷酸镁锂光激励发光剂量片的制备方法，该方法由原材料LiOH·H2O、Mg(NO3)2·6H2O、NH4H2PO4、H3BO3和Tb4O7经研磨、预烧、压坯、高温烧结制成，通过本发明所述方法获得的铽掺杂磷酸镁锂光激励发光剂量片在个人辐射剂量监测方面，相对于粉体材料更易于携带；在组建光纤辐射剂量在线测量系统方面，片状辐射剂量敏感材料比粉体材料更易与光纤整合得到剂量探头；在剂量片制备...
本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 总剂量辐照 PMOSFET 负偏压温度 不稳定性影响
2024/1/5
本发明涉及一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法，该方法是由试验样品分组及测试参数选择；试验样品的总剂量辐照及退火试验；试验样品的负偏压温度不稳定性测量组成，为了保证试验结果的一致性和准确性，首先将样品分为预辐照组、对比组及两个摸底试验组，在摸底试验的基础上对预辐照组开展确定条件下总剂量辐照和退火试验，再将对比组和预辐照组开展相同条件下的负偏压温度不稳定性试验，对比试验结果...