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中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Ta2AlC 纳米层状 快体陶瓷
2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：一种Ta2AlC纳米层状快体陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法。所述 Nb4AlC3块体陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.15,c 为24.22,理论密度为7.06g/cm3。其晶体结构中Al和Nb以较弱的共价键相结 合,使Nb4AlC3在应力作用下易沿(0001)基面产生剪切变形,使晶粒易于产生扭 折和层裂,宏观上表现显微塑性,可用普通的工具钢进行机械加工...
中国科学院金属研究所专利：一种炭石墨热等静压浸银工艺
中国科学院金属研究所 专利 炭石墨 热等静压 浸银工艺
2023/12/18
本发明涉及在高温、高压下制备复合材料的方法,具体为一种炭石墨热等静 压浸银工艺。将盛装银包石墨锭的坩埚和装入的银包石墨锭一起装入热等静压机 中,进行热等静压,浸银工艺如下：先在100～200Pa下烘炉至300℃；通Ar气 0.1～0.2MPa,升温至银充分熔化；断加热电源,抽真空至真空度为200-1000Pa； 充Ar并通电加热,在1200～1260℃、80～90MPa下保温、保压1～3小时后,断...
中国科学院金属研究所专利：热等静压用石墨金属包套的制备装置
中国科学院金属研究所 专利 热等静压 石墨金属包套
2023/12/18
本发明涉及高性能石墨密封材料的制备技术,具体为热等静压用石墨金属包 套的制备装置。该装置设有石墨柱、金属棒、石墨垫片、石墨坩埚盖、石墨坩埚、 浇铸口,石墨坩埚内装有石墨柱,石墨柱四周留有用于填充金属的间隙,石墨柱 下表面与石墨坩埚内底部设置的石墨垫片之间插设有金属棒,石墨柱上表面与石 墨坩埚顶部设置的石墨坩埚盖之间插设有金属棒,石墨柱上表面设有石墨垫片, 金属棒穿过该石墨垫片,石墨坩埚盖上开设有浇...
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 锆铝碳陶瓷粉
2023/11/28
中国科学院金属研究所专利：一种耐高温、抗氧化锆铝碳陶瓷粉的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷快体材料的方法
中国科学院金属研究所专利：氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
中国科学院金属研究所 专利 氧化硅 单壁碳纳米管 纳米电缆
2023/11/28
本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝碳 陶瓷材料
2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压制备锆铝硅碳陶瓷块体材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压 锆铝硅碳 陶瓷块体材料
2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位热压反应制备陶 瓷锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)块体材料的方法,可以解决现有非 原位合成的方法过程复杂、样品成型尺寸较小等问题。采用一定化学计量比的Zr 粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力 冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空 ...
中国科学院金属研究所专利：一种具有良好热稳定性的双壁纳米碳管的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 热稳定性 双壁纳米碳管
2023/11/24
本发明涉及纳米碳管的制备技术,具体一种为具有良好热稳定性的双壁纳米 碳管的制备方法,适用于制备具有良好热稳定性的双壁纳米碳管。该方法采用阴、 阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为碳源、含结晶水催化剂前驱体和含硫 生长促进剂的混合物组成的消耗阳极,采用氢气电弧法制备；消耗阳极中的原子 比C∶(Ni、Fe、Co中的一种或两种以上)∶S＝100∶1～6∶0.1～0.5,缓冲气体 总压力为50-600乇...
中国科学院金属研究所专利：一种碳化硅泡沫陶瓷波纹板及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 波纹板
2023/11/24
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种高强度、高比表面、 低膨胀、高导热、抗热冲击性能好、化学稳定性高、结构可控的碳化硅泡沫陶瓷 波纹板及其制备方法,解决碳化硅泡沫陶瓷波纹板成型等问题。所述SiC泡沫陶 瓷材料以多边型封闭环为基本单元,各基本单元相互连接形成三维连通网络结构, 材料板片具有褶皱状的波纹形状,波纹形状可以是三角或者圆滑波形；本发明采 用有机树脂及SiC粉末为主要原料,利用...
中国科学院金属研究所专利：一种提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 高温抗氧化 表面改性
2023/11/24
本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域,具体指一种用于提高碳化硅 泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面改性方法。该方法包括：(1)将碳化硅泡沫陶瓷 在1150-1300℃下预氧化处理10-80小时；(2)经步骤(1)处理的碳化硅泡沫 陶瓷不经降温过程,换以清洁的惰性气氛,继续在1150-1300℃温度下保温处理 50-150小时,然后缓慢冷却至室温。本发明所述方法操作简单、成本低廉、适应 性强,对原始材...
中国科学院金属研究所专利：提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 碳化硅 泡沫陶瓷 高温抗氧化 表面涂层
2023/11/24
本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域,具体指一种用于提高碳化硅 泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法。该方法包括：第一步,将碳化硅 泡沫陶瓷在700～1300℃下预氧化处理1～10小时；第二步,经第一步处理的碳化 硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下,在离子溅射镀膜机内,利用Al金属靶材,在 泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al；第三步,经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温 空气气氛下放置10～24小时后...
中国科学院金属研究所专利：一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法
中国科学院金属研究所 专利 硅化物 纳米带 纳米片 可控制备
2023/11/24
本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术,具体为一种硅化物纳米带或 纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基 体表面于500～1500℃下发生分解反应,从而在金属基体表面原位生长出硅化物 纳米带或纳米片。本发明通过控制氯代硅烷与氢气的流量比就可以容易地实现 纳米带或纳米片的选择制备,所制备硅化物纳米带的典型尺寸如下：长度10～ 50μm,宽度0.5～5μm,厚度100～2...
中国科学院金属研究所专利：氨基硼烷规模化制备方法
中国科学院金属研究所 专利 氨基 硼烷 规模化制备
2023/11/24
本发明涉及氨基硼烷制备技术,具体为一种氨基硼烷规模化制备方法。采用 反应原料硼氢化物、氨源在有机溶剂中直接合成氨基硼烷,将硼氢化物、氨源、 有机溶剂按摩尔比1∶1～3∶1.5～3的配比一次加入到反应釜内进行反应；产物 经加压过滤、真空蒸发、真空干燥,获得重量纯度90％以上、收率80％以上的氨 基硼烷。本发明有机溶剂经纯化后,加到反应釜中,与预先加入反应釜的硼氢化 钠、碳酸铵混合,搅拌,释放出氢气收...